JAJSVT4A September   2024  – September 2025 TPS37100-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 タイミング要件
    8. 6.8 タイミング図
    9. 6.9 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 入力電圧 (VDD)
        1. 7.3.1.1 低電圧誤動作防止 (VPOR < VDD < UVLO)
        2. 7.3.1.2 パワーオン リセット (VDD < VPOR)
      2. 7.3.2 SENSE
        1. 7.3.2.1 可変電圧スレッショルド
        2. 7.3.2.2 SENSE ヒステリシス
        3. 7.3.2.3 逆極性保護
      3. 7.3.3 出力ロジック構成
        1. 7.3.3.1 オープン ドレイン
        2. 7.3.3.2 アクティブ Low (OUT A および OUT B)
      4. 7.3.4 ユーザーがプログラム可能なリリース時間遅延
        1. 7.3.4.1 デアサート時間遅延の構成
      5. 7.3.5 ユーザーがプログラム可能なセンス遅延
        1. 7.3.5.1 センス時間遅延の構成
      6. 7.3.6 アナログ出力
      7. 7.3.7 内蔵セルフ テスト
        1. 7.3.7.1 ラッチ
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計 1：オフ バッテリの監視
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
      1. 8.3.1 電力散逸とデバイス動作
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
      3. 8.4.3 沿面距離
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 商標
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

7.3.2.2 SENSE ヒステリシス

TPS3710x-Q1 デバイスは、UV および OV スレッショルド周辺にヒステリシスを組み込んでいるため、OUT A および OUT B の誤ったデアサートを防止できます。ヒステリシスはスレッショルド電圧とは反対の方向に働きます。過電圧オプションの場合、ヒステリシスは正のスレッショルド電圧 (VITP) から差し引かれ、 低電圧オプションの場合、ヒステリシスは負のスレッショルド電圧 (VITN) に加算されます。図 7-4 および 図 7-5 は、標準 OUT A/B を備えたウィンドウ バリアントに基づく OUT A および OUT B の動作を強調表示します。

TPS37100-Q1 TPS37102-Q1 ヒステリシス (過電圧アクティブ Low)図 7-4 ヒステリシス (過電圧アクティブ Low)
TPS37100-Q1 TPS37102-Q1 ヒステリシス (低電圧アクティブ Low)図 7-5 ヒステリシス (低電圧アクティブ Low)
表 7-1 共通の可変スレッショルド ヒステリシスの参照テーブル
ターゲットデバイスのヒステリシス オプション
可変スレッショルドトポロジー解放電圧 (V)
800mV過電圧

792mV

-1%

800mV過電圧

760mV

-5%
800mV過電圧

720mV

-10%

800mV

アンダーボルテージ

808mV

1%

800mVアンダーボルテージ

840mV

5%
800mVアンダーボルテージ

880mV

10%

表 7-1 に、 TPS3710x-Q1 の 800mV 可変バリアントのヒステリシスの例を示します。

ヒステリシス電圧の大きさがわかると、低電圧 (UV) チャネルの解放電圧は (VITN + VHYS）) で、過電圧 (OV) チャネルの解放電圧は (VITP - VHYS) です。

低電圧 (UV)

VITN = 800mV

電圧ヒステリシス (VV HYS) = 1% = 8mV

解放電圧= VITN + VHYS = 808mV

過電圧 (OV)

VITP = 800mV

電圧ヒステリシス (VV HYS) = 1% = 8mV

解放電圧 = VITP - VHYS = 792mV