JAJSX70B July 2010 – September 2025 UCC28070-Q1
PRODUCTION DATA
| ピン | I/O | 説明 | |
|---|---|---|---|
| 番号 | 名称 | ||
| 1 | CDR | I | ディザ レート コンデンサ。周波数ディザリングのタイミング ピン。外付けコンデンサを GND に接続することで、発振器のディザ レートが設定されます。ジッタリングを無効にするには、CDR ピンを VREF ピンに接続し、RDM ピンを GND に接続します。 |
| 2 | RDM (SYNC) | I | ディザリング振幅抵抗。周波数ディザ量および外部同期ピン。外部抵抗を GND に接続することで、発振器周波数ジッタリングの振幅を設定できます。周波数ジッタリングが無効化されている場合 (CDR > 5V)、内部マスタ クロックは RDM ピンに入力される立ち上がりエッジに同期します。ジッタリングを無効にし、同期を使用しない場合は、RDM をゼロオーム抵抗で GND に接続します。 |
| 3 | VAO | O | 電圧アンプ出力。相互コンダクタンス電圧誤差アンプの出力。乗算器入力およびゼロ パワー コンパレータに内部接続されています。このピンと GND の間に電圧制御ループ補償部品を接続します。 |
| 4 | VSENSE | I | 出力電圧センス。相互コンダクタンス電圧誤差アンプの反転入力および電流合成差動アンプの正端子に内部接続。OVP、PFC イネーブル、スルーレート コンパレータにも接続されています。抵抗分圧回路を使用して PFC 出力に接続します。 |
| 5 | VINAC | I | スケーリングされた AC ライン入力電圧。乗算器および電流合成差動アンプの負端子に内部接続されています。VIN、VINAC、GND の間に、VSENSE に接続された PFC 出力分圧回路と同じ抵抗回路を接続します。 |
| 6 | IMO | O | 乗算器出力電流。乗算器ゲインを設定するため、このピンと GND の間に抵抗を接続します。 |
| 7 | RSYNTH | I | 電流合成ダウンスロープ プログラミング。このピンと GND の間に抵抗を接続することで、電流合成器の下降スロープ速度を設定できます。RSYNTH を VREF に接続すると電流合成が無効化され、CSA と CSB がそれぞれの電流アンプに内部的に直接接続されます。 |
| 8 | CSB | I | 位相 B 電流検出入力。GDB のオン時間中、RSYNTH が VREF に接続されていない場合、CSB は電流合成段を介して内部的位相に B 電流アンプの反転入力に接続されます。 |
| 9 | CSA | I | 位相 A 電流検出入力。GDA のオン時間中、RSYNTH が VREF に接続されていない場合、CSA は電流合成段を介して内部的に位相 A 電流アンプの反転入力に接続されます。 |
| 10 | PKLMT | I | ピーク電流制限のプログラミング。サイクルごとのピーク電流制限コンパレータの電圧スレッショルドを設定するため、VREF とこのピンの間に抵抗分圧ネットワークを接続します。目的の ΔILB に合わせて調整できます。 |
| 11 | CAOB | O | 位相 B 電流アンプ出力。位相 B の相互コンダクタンス電流アンプの出力。トレーリング エッジ変調用に、位相 B PWM コンパレータの反転入力に内部接続します。このピンと GND の間に電流制御ループ補償部品を接続します。 |
| 12 | CAOA | O | 位相 A 電流アンプ出力。位相 A の相互コンダクタンス電流アンプの出力。トレーリング エッジ変調用に、位相 A PWM コンパレータの反転入力に内部接続します。このピンと GND の間に電流制御ループ補償部品を接続します。 |
| 13 | VREF | O | 6V のリファレンス電圧と内部バイアス電圧。このピンと GND にできるだけ近接して、0.1µF のセラミック バイパス コンデンサを接続します。 |
| 14 | GDA | O | 位相 A のゲート ドライブ。この電流制限付き出力は、フェーズ A のスイッチング素子を駆動するのに適した別個のゲート ドライブ デバイスに接続することを目的としています。出力電圧は通常 13.5V にクランプされます。 |
| 15 | VCC | I | バイアス電圧入力。このピンと GND にできるだけ近接して、0.1µF のセラミック バイパス コンデンサを接続します。 |
| 16 | GND | I/O | デバイス グランド リファレンス 。すべての補償およびプログラミング用の抵抗、コンデンサ ネットワークをこのピンに接続します。大電流ノイズの絶縁のため、このピンを別のパターンを介してシステムに接続します。 |
| 17 | GDB | O | 位相 B ゲート ドライブ。この電流制限付き出力は、位相 B のスイッチング素子を駆動するのに適した別個のゲート ドライブ デバイスに接続することを目的としています。出力電圧は通常 13.5V にクランプされます。 |
| 18 | SS | I | ソフトスタートおよび外部フォルト インターフェイス。内部で固定された 10µA の電流源に基づきソフトスタートのスルーレートを設定するため、このピンにコンデンサを GND に接続します。VSENSE の制御リファレンス電圧は、VSS が 3 V を超えるまで VSS にクランプされます。特定の故障状態から回復する際、SS ピンには 1 mA の電流源が存在し、SS 電圧が VSENSE 電圧に達するまで流れます。SS ピンを 0.6V 未満にすると、GDA 出力と GDB 出力の両方が即座に無効化されます。 |
| 19 | RT | I | タイミング抵抗。発振周波数プログラミング ピン。GND への抵抗によって、内部発振器の動作周波数が設定されます。 |
| 20 | DMAX | I | 最大デューティ サイクル抵抗。最大 PWM デューティ サイクル プログラミング ピン。GND との間に抵抗を接続することで、RDMX / RRT の比に基づいて、PWM の最大デューティ サイクルが設定されます。 |