JAJU922A October 2022 – February 2024
LMG352xR030-Q1 は、ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、車載対応の 650V、30mΩ の GaN FET です。内蔵ドライバにより、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できます。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート バイアスは、外部ディスクリート ゲート ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と低インダクタンス パッケージの組み合わせにより、ハード スイッチング電源トポロジでノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。EMI を制御するための調整可能なゲート ドライブ強度、過熱保護、フォルト表示付きの堅牢な過電流保護を含むその他の機能を使うと、BOM コスト、基板サイズ、フットプリントを最適化できます。高度な電源管理機能には、デジタル温度レポートが含まれます。GaN FET の温度は可変デューティ サイクル PWM 出力により通知されるため、システムは負荷を最適に管理できます。