JAJU938 June 2024 – December 2024 MSPM0G1507
GaN を採用した IPM である DRV7308 は、スイッチング速度が非常に高速で、これにより IPM の電力損失が低減され、クリーンなスイッチング エッジにより EMI 特性を改善できます。図 3-38 に、0VDC から 310VDC の 40nS の立ち上がりエッジを示します。
図 3-39 に、310V から 0VDC の 40nS の立ち下がりエッジを示します。