JAJU941B August   2024  – May 2025 DRV8162 , INA241A , ISOM8710

 

  1.   1
  2.   説明
  3.   リソース
  4.   特長
  5.   アプリケーション
  6.   6
  7. 1システムの説明
    1. 1.1 リファレンス デザインの概要
    2. 1.2 主なシステム仕様
  8. 2システム概要
    1. 2.1 ブロック図
    2. 2.2 設計の考慮事項
      1. 2.2.1 ハードウェア設計
        1. 2.2.1.1 出力段ゲート ドライバ
          1. 2.2.1.1.1 ゲート ドライバ
          2. 2.2.1.1.2 保護機能
          3. 2.2.1.1.3 VGVDD の定義
          4. 2.2.1.1.4 ストラップ機能
        2. 2.2.1.2 出力段 FET
          1. 2.2.1.2.1 VGS と RDS(ON) との関係
        3. 2.2.1.3 相電流および電圧センシング
          1. 2.2.1.3.1 A 相および B 相の電流検出
          2. 2.2.1.3.2 C 相の電流検出
          3. 2.2.1.3.3 電圧検出
        4. 2.2.1.4 ホストプロセッサインターフェイス
        5. 2.2.1.5 ゲート ドライブのシャットダウン パス
        6. 2.2.1.6 システム診断測定
          1. 2.2.1.6.1 温度測定
        7. 2.2.1.7 システムの電源
          1. 2.2.1.7.1 12V レール
          2. 2.2.1.7.2 3.3V レール
      2. 2.2.2 ソフトウェア設計
    3. 2.3 主な使用製品
      1. 2.3.1 DRV8162L
      2. 2.3.2 INA241A
      3. 2.3.3 AMC0106M05
      4. 2.3.4 TPSM861253
      5. 2.3.5 LMR38010
      6. 2.3.6 TMP6131
      7. 2.3.7 ISOM8710
  9. 3ハードウェア、ソフトウェア、テスト要件、テスト結果
    1. 3.1 ハードウェア要件
      1. 3.1.1 PCB の概要
      2. 3.1.2 ハードウェアの構成
        1. 3.1.2.1 前提条件
        2. 3.1.2.2 デフォルトの抵抗およびジャンパ構成
        3. 3.1.2.3 コネクタ
          1. 3.1.2.3.1 ホストプロセッサインターフェイス
    2. 3.2 テスト設定
    3. 3.3 テスト結果
      1. 3.3.1 パワー マネージメント
        1. 3.3.1.1 パワーアップ
        2. 3.3.1.2 パワーダウン
      2. 3.3.2 ゲート電圧と相電圧
        1. 3.3.2.1 20 VDC
        2. 3.3.2.2 48 VDC
        3. 3.3.2.3 60 VDC
      3. 3.3.3 デジタル PWM およびゲート電圧
      4. 3.3.4 相電流の測定
      5. 3.3.5 システムのテスト結果
        1. 3.3.5.1 熱解析
  10. 4設計とドキュメントのサポート
    1. 4.1 デザイン ファイル
      1. 4.1.1 回路図
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 ツールとソフトウェア
    3. 4.3 ドキュメントのサポート
    4. 4.4 サポート・リソース
    5. 4.5 商標
  11. 5著者について
  12. 6改訂履歴

熱解析

本設計の熱解析は、実験室温度 28°C、VIN が 48V、PWM が 16kHz の条件下で実施されました。低電圧 PMSM は、負荷電流 26.2ARMS (ピーク 37.0A) で、正弦波の相電流により駆動されます。このテストでは、ヒートシンクやファンは使用していません。図 3-29 に、基板の熱画像を示します。

TIDA-010956 26.2ARMS 出力時における TIDA-010956 の熱画像図 3-29 26.2ARMS 出力時における TIDA-010956 の熱画像

この測定から、26.2ARMS では、MOSFET の温度が 45.5℃上昇することがわかります。MOSFET の接合部温度を 125℃ 未満に維持することを検討してください。現在の設計はヒートシンクなし、26.2ARMS、最大 79.5℃ の周囲温度という条件でも動作できます。大電流または高い周囲温度の条件では、ヒートシンクと冷却ファンが必要になることがあります。