RES60A-Q1 は、マッチングされた抵抗分周器で、テキサス インスツルメンツの最新の高性能アナログ ウエハ プロセスで薄膜 SiCr に実装されています。高品質の SiO2 絶縁層は抵抗器をカプセル化し、継続的動作で最大 1400VDC、HiPOTテスト (60 秒) で最大 4000VDC という非常に高い電圧で使用できるようにします。このデバイスは、公称入力抵抗 RHV = 12.5MΩ であり、幅広いシステムの要求を満たすため、いくつかの公称比率で供給されます。RES60A-Q1 シリーズは高い比率マッチング精度を特長としており、各分割器の測定比率は公称値の ±0.1% (最大) 以内です。この精度は、仕様温度範囲全体で維持され時間が経過しても、累積ドリフトはわずか ±0.2% (最大) です。したがって、キャリブレーションなしの RES60A-Q1 の生涯耐性は、±0.3%の (最大) 内に収まります。RES60A-Q1 は、AEC-Q200 温度グレード 1 で車載認定済みで、–40°C ~ 125°C の仕様温度範囲を満たしています。このデバイスは、8 ピンSOIC パッケージで供給され、公称本体サイズが 7.5mm × 5.85mm で、高電圧ピンと低電圧ピンの間の沿面距離と空間距離が 8.5mm 以上あります。