JAJY123A January   2021  – June 2022 AMC1300 , AMC1302 , AMC1302-Q1 , AMC1305M25-Q1 , AMC1306M25 , AMC1311 , AMC1311-Q1 , AMC1336 , AMC1336-Q1 , AMC1350 , AMC1411 , AMC3301 , AMC3301-Q1 , AMC3330 , AMC3330-Q1 , AMC3336 , AMC3336-Q1 , ISOW1044 , ISOW1412 , ISOW7741 , ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7841A-Q1 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844 , UCC12040 , UCC12041-Q1 , UCC12050 , UCC12051-Q1 , UCC14240-Q1 , UCC21222-Q1 , UCC21530-Q1 , UCC21540 , UCC21710-Q1 , UCC21750-Q1 , UCC23513 , UCC25800-Q1 , UCC5870-Q1

 

  1.   概要
  2.   Authors
  3.   3
  4.   ガルバニック絶縁とは
  5.   高電圧ガルバニック絶縁に関する注意事項
  6.   絶縁方法
    1.     光絶縁
    2.     容量式絶縁
    3.     磁気式絶縁
    4.     ソリューションのサイズとコストを削減しながら絶縁の要求を確実に実現
    5.     EV アプリケーション
    6.     グリッド・インフラストラクチャ・アプリケーション
    7.     ファクトリ・オートメーション・アプリケーション
    8.     モーター・ドライブ・アプリケーション
  7.   まとめ
  8.   その他の資料

絶縁方法

IC は、最新の高電圧システムで絶縁を達成するための基礎的なビルディング・ブロック (構成要素) です。該当する IC は、DC 電流と低周波の AC 電流をブロックしながら、電力、アナログ信号、高速デジタル信号を絶縁バリア越しに伝達できるからです。図 4 に、3 種類の一般的な半導体テクノロジーを示します。光学的 (フォトカプラ)、電界を通じた信号伝達 (静電容量式)、および磁界を通じた結合 (トランス) です。TI の絶縁 IC では、先進の静電容量式絶縁技術と独自の内蔵平面型トランスを採用しています。TI は、パッケージ開発や、絶縁、プロセス技術に関する自社の立場を活かし、最高水準の統合、性能、信頼性を実現しています。

図 4 半導体絶縁技術:フォトカプラ (a)、静電容量式 (b)、トランス式 (c) (出典: ti.com/lit/SLYY081 の画像 a および b)

絶縁特性の必須レベルを達成するうえで、各テクノロジーは表 3 に示した 1 つまたは複数の半導体絶縁素材に依存しています。物質の誘電体強度が高いほど、特定の距離を隔てて同程度の電圧を絶縁する効果が高くなります。

表 3 半導体のインシュレータ (絶縁材) の組成
絶縁材の組成 誘電体強度
空気 約 1VRMS/μm
エポキシ 約 20VRMS/μm
シリカを充てんしたモールド樹脂 約 100VRMS/μm
ポリイミド 約 300VRMS/μm
SiO2 約 500VRMS/μm