JAJSGG0 October   2018

ADVANCE INFORMATION for pre-production products; subject to change without notice.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4改訂履歴
  5. 5デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 5.1 ドキュメントのサポート
      1. 5.1.1 関連資料
    2. 5.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 5.3 コミュニティ・リソース
    4. 5.4 商標
    5. 5.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 5.6 Glossary
  6. 6メカニカル、パッケージ、および注文情報

1 特長

  • シングルチャネル SiC/IGBT 絶縁ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み (認定予定)
  • 最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT
  • 最大出力駆動電圧 (VDD-COM)：33V
  • 大きなピーク駆動電流と高い CMTI
  • アクティブ・ミラー・クランプ
    • RDY でのパワー・グッドによる UVLO
      • 伝搬遅延およびパルス/部品スキューが小さい
      • 動作温度範囲：–40°C～125°C
      • 安全性関連の認定 (予定)
        • 8000VPK VIOTM および 2121VPK VIORM の、DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 準拠の強化絶縁
        • UL1577 準拠で 5700VRMS において 1 分間の絶縁