JADU003
December 2025
1
説明
設計を開始
特長
アプリケーション
6
1
評価基板の概要
1.1
はじめに
1.2
キットの内容
1.3
仕様
1.4
製品情報
1.5
テキサス・インスツルメンツの高電圧評価基板 (TI HV EVM) におけるユーザーの安全のための一般的な指針
2
ハードウェア
2.1
補足画像
2.1.1
USB-C PD 通信があるのない負荷での評価基板 (EVM) の使用
2.1.2
USB-C PD 通信のない負荷での評価基板 (EVM) の使用
3
実装結果
3.1
電気的性能の仕様
3.2
テスト設定
3.2.1
テスト設定要件
3.2.2
UCG28824EVM-124 のテスト設定図
3.2.3
テスト ポイント
3.3
性能データおよび標準的な特性曲線
3.3.1
24Vout における 4 ポイント平均の効率結果
3.3.2
20VOUT での 4 ポイント平均の効率結果
3.3.3
15VOUT での 4 ポイント平均の効率結果
3.3.4
12Vout における 4 ポイント平均の効率結果
3.3.5
9VOUT での 4 ポイント平均の効率結果
3.3.6
5VOUT での 4 ポイント平均の効率結果
3.3.7
標準的な効率結果
3.3.8
出力特性
3.3.9
主要なスイッチング波形
3.3.10
スイッチング周波数と負荷との関係
3.3.11
出力リップル電圧
3.3.12
負荷過渡応答
3.3.13
ライン過渡応答
3.3.14
短期過負荷動作
3.3.15
CCM 動作
3.3.16
CISPR32 Class B 伝導 EMI テスト結果
4
ハードウェア設計ファイル
4.1
回路図
4.2
PCB のレイアウト
4.3
トランスの詳細
4.3.1
ATQ18-T-325UH-W3-A
4.4
部品表
5
追加情報
商標
EVM User's Guide
UCG28824EVM-124 45W 高密度 GaN 統合型疑似共振フライバック コンバータの使用
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