JAJSHW5D September   2009  – September 2019 TS3USB221E

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      ブロック図
      2.      概略回路図、各 FET スイッチ (SW)
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Electrical Characteristics
    6. 6.6  Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 3.3 V ±10%
    7. 6.7  Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 2.5 V ±10%
    8. 6.8  Switching Characteristics, VCC = 3.3 V ±10%
    9. 6.9  Switching Characteristics, VCC = 2.5 V ±10%
    10. 6.10 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Low Power Mode
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

1 特長

  • 2.3V～3.6V の VCC で動作
  • スイッチ I/O は最大 5.5V の信号に対応
  • 1.8V 互換の制御ピン入力
  • OE がディセーブルのとき低消費電力モード (1μA)
  • rON = 6Ω (最大値)
  • ΔrON = 0.2Ω (標準値)
  • Cio(ON) = 7pF (最大値)
  • 低消費電力：30µA (最大値)
  • JESD 22 準拠で ESD 性能をテスト済み
    • 人体モデルで 7000V (A114-B、Class II)
    • 荷電デバイス・モデルで 1000V (C101)
  • I/O ポートから GND への ESD 性能
    • 人体モデルで 12kV (A114-B、Class II)
    • 接触放電で ±7kV (IEC 61000-4-2)
  • 高帯域幅：1GHz (標準値)