NESY036B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   概覽
  3.   摘要
  4.   影響 IQ 的因素
  5.   低 IQ 為何產生新挑戰
    1.     瞬態回應
    2.     漣波
    3.     雜訊
    4.     晶粒尺寸與解決方案面積
    5.     洩漏與低於閾值的操作
  6.   如何打破低 IQ 障礙
    1.     解決瞬態回應問題
    2.     解決切換雜訊問題
    3.     解決其他雜訊問題
    4.     解決晶粒尺寸與解決方案面積問題
    5.     解決洩漏與低於閾值的操作問題
  7.   電氣特性
    1.     18
    2.     避免低 IQ 設計中的潛在系統陷阱
    3.     實現低 IQ 但不犧牲靈活性
    4.     減少外部零組件數以降低汽車應用中的 IQ
    5.     智慧使用或在智慧使用支援低 IQ 的啟用功能，或啟用在系統層級支援低 IQ 的功能
  8.   結論
  9.   低 IQ的重要產品類別

如何打破低 IQ 障礙

若要得到最佳 IQ，就必須解決多個彼此衝突的設計挑戰。您必須滿足瞬態回應、雜訊與準確度的所有重要性能規格，並讓 IQ 以數量級方式減少。在進行性能規格的取捨前，您必須先對整個輸出負載範圍中的 IQ 和功率損失進行量化。若為 DC/DC 切換轉換器，需注意各負載電流的電源效率，若為 LDO，則需注意各負載電流的電流效率。

舉例來說，圖 10 就說明 TI TPS63900 降壓升壓轉換器與競爭對手的效率比較。TPS63900 的效率在六個負載電流數量級中皆可保持在 80% 以上，從 1 µA 開始，效率最高可達 96%。

GUID-20210902-SS0I-3WBK-LRR2-KCRGJNSGPMWQ-low.gif 圖 9 在 2D 截面積 (a) 與配置視圖 (b) 中因氧化物減少而產生的寄生低 VT。
GUID-20210902-SS0I-ZBGB-9Z3Z-PQP6SLDML8FN-low.gif 圖 10 TPS63900 (a) 與競爭產品 (b) 的效率。(來源: TI 與競爭對手的產品規格書)。