Etapas de potencia
Mayor eficiencia del sistema y simplificación de los diseños
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Nuevos productos
Medio puente de GaN de 650 V y 140 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrado
Precio aprox. (USD) 1ku | 4.99
Transistor de efecto de campo (FET) de GaN en encapsulado TOLL de 650 V y 25 mΩ con conductor int
Precio aprox. (USD) 1ku | 7.37
FET de GaN de 100 V y 1.7 mΩ con controlador integrado
Precio aprox. (USD) 1ku | 4.9
FET de GaN en encapsulado TOLL de 650 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados
Precio aprox. (USD) 1ku | 5.69
FET de GaN en encapsulado TOLL de 650 V y 35 mΩ con controlador y protección integrados
Precio aprox. (USD) 1ku | 10.668
Medio puente de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 105 mΩ con controlador, protección y detección de
Precio aprox. (USD) 1ku | 6.3
Nuestras etapas de potencia de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de GaN y Si aumentan la eficiencia del sistema & simplifican los diseños
Diseñado para la fiabilidad
Nuestros dispositivos de GaN están diseñados para mantener la seguridad de los sistemas de alta tensión gracias a un proceso GaN-on-Si patentado, más de 40 millones de horas de pruebas de fiabilidad y diversas funciones de protección.
Gran integración
Los MOSFET, controladores y sensores de corriente integrados proporcionan una función de conmutación completa que elimina los componentes pasivos, lo que reduce el tamaño de la solución y simplifica el diseño de la placa de circuito impreso.
Menor magnetismo, mayor densidad de potencia
Nuestros dispositivos GaN permiten velocidades de conmutación más rápidas, que pueden ayudarle a alcanzar frecuencias de conmutación de más de 500 kHz. Esto se traduce en una reducción del magnetismo de hasta el 60%, un mayor rendimiento y una reducción de los costos del sistema.