Etapas de potencia
Mayor eficiencia del sistema y simplificación de los diseños
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Minimice el tamaño de la solución, maximice la densidad de potencia, optimice la eficiencia y refuerce la protección del sistema con nuestros avanzados dispositivos de etapas de potencia. Integre nuestras etapas de potencia inteligentes, con telemetría de alta precisión, con nuestros controladores multifásicos escalables para obtener una solución de sistema de CC/CC multifásico simplificada. Esta integración elimina los componentes redundantes, reduce las pérdidas por conmutación y aumenta la fiabilidad general del sistema, todo ello en un tamaño compacto. Además. nuestra familia de transistores de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) con controladores de compuertas integrados y dispositivos de potencia de GaN ofrece la solución de GaN más eficiente con una alta fiabilidad de por vida y ventajas económicas.
Nuestras etapas de potencia de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de GaN y Si aumentan la eficiencia del sistema y simplifican los diseños
Diseñado para la confiabilidad
Nuestros dispositivos de GaN están diseñados para mantener la seguridad de los sistemas de alta tensión gracias a un proceso GaN-on-Si patentado, más de 40 millones de horas de pruebas de fiabilidad y diversas funciones de protección.
Gran integración
Los MOSFET, controladores y sensores de corriente integrados proporcionan una función de conmutación completa que elimina los componentes pasivos, lo que reduce el tamaño de la solución y simplifica el diseño de la placa de circuito impreso.
Menor magnetismo, mayor densidad de potencia
Nuestros dispositivos GaN permiten velocidades de conmutación más rápidas, que pueden ayudarlo a alcanzar frecuencias de conmutación de más de 500 kHz. Esto se traduce en una reducción del magnetismo de hasta el 60 %, un mayor rendimiento y una reducción de los costos del sistema.
Recursos técnicos
Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
Nuevos productos
FET de GaN de 100 V y 1.7 mΩ con controlador integrado y protección mejorados
Precio aprox. (USD) 1ku | 3.5
Etapa de potencia de 60 A. con entrada de 4 V a 20 V automotriz
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FET de GaN de 100 V y 1.7 mΩ con controlador integrado y protección mejorados
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