TI 、人工衛星の小型化とさらなる効率化を可能とする、業界初の宇宙グレード 200V GaN FET ゲート ドライバを発表

TI の新たな一連のゲート ドライバは、22V から 200V までの異なる放射線レベルに対応し、あらゆる宇宙ミッションで電源システムの効率向上を支援

28 2 月 2025 | 製品とテクノロジー

最新情報の要旨

テキサス・インスツルメンツ(TI)は、放射線耐性に優れたハーフブリッジ窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)ゲート ドライバの新製品ファミリを発表しました。このゲート ドライバ 製品ファミリには、業界初となる 200V 動作に対応した宇宙グレードの GaN FET ドライバが搭載されています。これらのデバイスは、ピン互換のセラミック パッケージとプラスチック パッケージのオプションで提供され、3 つの電圧レベルに対応しています。TI の宇宙グレード電源製品における進歩により、エンジニアは単一のチップ サプライヤだけで、衛星電源システムをあらゆる種類の宇宙ミッション用途に設計できるようになります。

当製品の重要性

衛星システムは、軌道上での処理能力やデータ伝送の増加、高解像度の画像撮影、より精密なセンシングなどの需要に応えるため、ますます複雑化しています。ミッション遂行能力の向上に向け、エンジニアは電源システム効率の最大化に尽力しています。TI の新たなゲート ドライバは GaN FET を正確に駆動し、高速な立ち上がり、立ち下がり時間を実現するよう設計されています。これにより、電源供給の規模と密度の向上が実現します。その結果、衛星はミッションの機能実行に際して、太陽電池で生成された電力をより効果的に利用できます。

TI の宇宙用電源製品部門の製品ライン マネージャーである Javier Valle は、次のように述べています。「衛星は、地球規模のインターネット接続から気候や海運活動の監視に至るまで重要なミッションを遂行することで、人類が世界をより深く理解し、適応できるようにしています。当社の新しいポートフォリオは、低軌道、中軌道、静止軌道上の衛星が、宇宙の過酷な環境下でも長期間にわたり高い電力効率を維持しながら稼動できるようにします」

詳細については、技術記事「電子制御の電源システムを活用して次世代の人工衛星の SWaP (サイズ、重量、電力)を最適化する方法」をご覧ください。

詳細

GaN テクノロジーを活用してサイズ、重量、電力(SWaP)を最適化することにより、以下の利点が得られます。

  • 電気システムの性能向上
  • ミッションの稼働期間の長期化
  • 衛星の質量と体積の削減
  • 熱管理負荷の最小化

設計者は、この製品ファミリを電源システム全体にわたるさまざまなアプリケーションにおいて活用できます。

  • 200V GaN FET ゲート ドライバは、推進システムやソーラー パネルの入力電力変換に適しています。
  • 60V と 22V の製品は、衛星全体での電力分配と変換のために設計されています。

TI の宇宙グレード GaN FET ゲート ドライバ 製品ファミリは、3 つの電圧レベルに対応したさまざまな宇宙規格のパッケージ オプションを提供しています。

  • プラスチック パッケージで QML(Qualified Manufacturers List:認定取得済みメーカー リスト)Class P、セラミック パッケージで QML Class V の認定をそれぞれ取得した耐放射線特性製品
  • 放射線耐性を備えた宇宙用強化プラスチック(SEP)製品

米国ジョージア州アトランタで開催される応用パワー・エレクトロニクス会議では、2025 年 3 月 18 日(火)午前 9 時 20 分(米国東部時間)に、TI のシステム エンジニアである John Dorosa が「ハード スイッチングのフル ブリッジをゼロ電圧スイッチングのフル ブリッジに簡単に変換する方法」と題したプレゼンテーションを行います。この業界セッションでは、TI の TPS7H6003-SP ゲート ドライバを紹介します。

提供時期

TPS7H6003-SP、TPS7H6013-SP、TPS7H6023-SP、TPS7H6005-SEPは、いずれも TI.com で量産対応の数量を注文可能です。TPS7H6015-SEP および TPS7H6025-SEP は、量産開始前の数量を注文可能です。TPS7H6005-SP、TPS7H6015-SP、TPS7H6025-SPは、2025 年 6 月以後に注文可能となります。さらに、9 つのデバイスすべてに対応する評価基板、リファレンス デザイン、シミュレーション モデルなどの開発リソースも提供しています。

電圧
耐放射線
耐放射線特性
耐放射線特性
200V TPS7H6005-SEP TPS7H6005-SP TPS7H6003-SP
60V TPS7H6015-SEP TPS7H6015-SP TPS7H6013-SP
22V TPS7H6025-SEP TPS7H6025-SP TPS7H6023-SP

TIテキサス・インスツルメンツの概要

Texas Instruments Incorporated(NASDAQ:TXN)は、産業用、車載、パーソナル エレクトロニクス、エンタープライズ システム、通信機器などの市場で、アナログ チップと組み込みプロセッシング チップの設計、製造、販売に従事しているグローバル半導体企業です。TIの中核には、半導体を通じてエレクトロニクスをより手ごろな価格で提供することで、より良い世界を創造するという情熱があります。この情熱は今日も生き続けており、各世代のイノベーションが最新の技術を基礎にして、テクノロジーの信頼性を高め、より手ごろな価格で低消費電力を実現し、あらゆる分野のエレクトロニクスで半導体を活用できるようにしています。詳細については TI.comをご覧ください。

商標

すべての登録商標およびその他の商標はそれぞれの所有者に帰属します。

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