ゲート・ドライバ

各種アプリケーションのあらゆる電力レベルで、効率と信頼性の優れた方法で各種パワー スイッチを駆動

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IGBT、GaNFET、SiCFETに対応した絶縁型ハーフブリッジ ドライバと絶縁型ローサイドゲート ドライバを TI の広範な製品群から選択して最適な設計を実現できます。TI のゲート ドライバ ソリューション、リソース、専門知識を活用すると、優れた効率と信頼性や高い電力密度を達成するシステムを設計しやすくなります。

カテゴリ別の参照

関連カテゴリ
モーター ドライバ

TI のモーター ドライブ ソリューションは、設計の簡素化、基板面積の節減、システム コストの低減に貢献します。 

アプリケーション別にゲート ドライバを検索

UCC57102-Q1
ローサイド・ドライバ

脱飽和 (DESAT) 保護機能と 12V UVLO (低電圧ロックアウト:低電圧誤動作防止) 機能搭載、ローサイド、4A ドライバ

概算価格 (USD) 1ku | 0.649

UCC21331
絶縁型ゲート・ドライバ

イネーブル ロジックとプログラマブル デッドタイム機能搭載、3kVRMS、4A/6A、2 チャネル ゲート ドライバ

概算価格 (USD) 1ku | 0.44

UCC21331-Q1
絶縁型ゲート・ドライバ

車載、イネーブル ロジックとプログラマブル デッドタイム機能搭載、3kVRMS、4A/6A、2 チャネル ゲート ドライバ

概算価格 (USD) 1ku | 0.519

TPS7H6013-SP
ハーフ・ブリッジ・ドライバ

Radiation-hardened, QMLV 60-V half-bridge GaN gate driver

UCC57108-Q1
ローサイド・ドライバ

DESAT (脱飽和) 機能と 8V UVLO (定電圧ロックアウト) 機能搭載、4A、ローサイド ドライバ

概算価格 (USD) 1ku | 0.649

ワイド バンドギャップ技術

各種トポロジで高い電力密度と設計の簡素化を実現する高速 GaN ゲート ドライバ

高速タイミング仕様、リードレス パッケージ、狭いパルス幅への応答という特性を組み合わせた TI のドライバを採用すると、FET の高速スイッチングを実現できます。ゲート電圧のレギュレーション、プログラム可能なデッドタイム、内部消費電力の低減などの特長を追加した結果、高周波スイッチングを通じて可能な範囲で最大の効率を実現できます。

ホワイト・ペーパー
GaN と SiC の技術で電源の効率向上を実現します
この記事は、ワイド バンドギャップ素材を TI の高電圧製品ラインアップと組み合わせた場合に電源で実現できる利点を解説します。
PDF
ホワイト・ペーパー
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. B)
このホワイト ペーパーは、車載の LIDAR (光による検出と距離測定) と、自動運転システム向けのソリューションを紹介します。
PDF | HTML
ホワイト・ペーパー
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
GaN の潜在能力を最大限に引き出すうえでゲート ドライバの選定が重要な理由をご確認ください。
PDF

エネルギー効率と信頼性の高い小型システム設計に最適な SiC (シリコン カーバイド) ゲート ドライバ

SiC / IGBT ゲート ドライバの高い駆動電流、高い CMTI、短い伝搬遅延により、設計効率を高めることができます。TI の各種 SiC ゲート ドライバは、高速な短絡保護機能を内蔵し、高いサージ耐性を達成しているので、開発中のシステムで信頼性の高い絶縁を実現しやすくなります。高速かつ堅牢で信頼性の高いドライバを使用して、より高い PWM 周波数で SiC をスイッチングすることで、システム サイズ、重量、コストを低減できます。

e-Book(PDF)
IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals
IGBT および SiC ゲート ドライバに関する最も一般的な質問のいくつかのソリューションをご確認ください。 
PDF
ホワイト・ペーパー
Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)
SiC (シリコン カーバイド) の潜在能力を最大限に発揮するには、適切なエコシステム、この場合はゲート ドライバが必須です。革新的技術の概要とパワー エレクトロニクスに及ぼす影響をお読みください。
PDF
アプリケーション概要
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. C)
SiC MOSFET のさまざまな短絡保護方式の概要と比較をご覧ください。
PDF | HTML

技術リソース

その他の技術資料
その他の技術資料
Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)
このアプリケーション ノートは、高速スイッチング アプリケーションに適した高性能ゲート ドライブ回路を設計する体系的なアプローチを解説します。
document-pdfAcrobat PDF
関連資料
関連資料
ゲート ドライバに関する FAQ (よくある質問)
この FAQ ページは、ゲート ドライバに関する一般的な質問と設計上の課題に対する TI のソリューションを整理して掲載しています。
ホワイト・ペーパー
ホワイト・ペーパー
Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
このホワイト ペーパーでは、パワー スイッチの機能として絶縁型ゲート ドライバを使用する利点と要件について説明します。
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設計と開発に役立つリソース

リファレンス・デザイン
100VIN 未満 DC/DC コンバータ向け電力段のリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、120V ハーフブリッジ MOSFET ドライバである UCC27282 と、100V パワー MOSFET である CSD19531 をベースとして、高周波電力段の設計を実装しています。このデザインには、高効率スイッチおよびフレキシブルな VGS 動作範囲という特長があるので、全体のゲート・ドライブ損失と導通損失を小さくし、最高の効率を達成することができます。この電力段デザインは、テレコムのブリック電源モジュール、ソーラー・インバータ、DC モーター・ドライブなど、スペースの制約が厳しい多くのアプリケーションに広く適用可能です。
リファレンス・デザイン
光入力エミュレーション・ゲート・ドライバ搭載、 200 ~ 480VAC ドライブ向け 3 相インバータのリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは絶縁型 IGBT ゲート・ドライバと絶縁型電流/電圧センサを使用して、強化絶縁型 3 相インバータ・サブシステムを実現します。使用されている UCC23513 ゲート・ドライバは幅の広い 6 ピン・パッケージと光学 LED エミュレーション入力を採用しており、既存の光絶縁型ゲート・ドライバのピン互換品として使用できます。このリファレンス・デザインにより、光絶縁型ゲート・ドライバを駆動する既存のあらゆる構成を使用して UCC23513 の入力段を駆動できます。同相シャント抵抗ベースのモーター電流センシングには AMC1300B 絶縁型アンプと DC (...)
リファレンス・デザイン
480W、<17 mm, Thin Profile, 94% Efficiency, Fast Transient Response AC/>AC/DC SMPS (スイッチング電源) のリファレンス

TIDA-01495 は、低プロファイル (高さ 17mm)、94.1% のピーク効率、高い電力密度、ユニバーサル入力、24V DC、480W 出力、コンシューマ向け AC/DC 電源のリファレンス デザインです。この回路は、UCC28063Aをベースとするフロント エンドや、2 相のインターリーブ遷移モード (TM) 力率補正 (PFC) によって構成されており、PFC インダクタのサイズを最小化できるほか、EMI (電磁干渉) フィルタの要件を低減することもできます。HB-LLC 絶縁型 DC/DC 段を制御するのは、ハイブリッド ヒステリシス制御 LLC コントローラである (...)

ゲート・ドライバ 関連の各種リファレンス・デザイン

セレクションツールを使用すると、お客様のアプリケーションやパラメータに最適なリファレンス・デザインをご覧いただけます。