高効率かつ低消費電力の部品を使用した設計は、多様な電子機器のバッテリ動作時間延長に役立ちます。TI の各種 P チャネル MOSFET には小型フォーム・ファクタで高い電力密度という特長があり、クラス最高の電圧制御機能と電流制御機能を通じてバッテリ動作時間を延長できるうえ、最小のフットプリントでこれらをすべて実現します。
カテゴリ別の参照
種類別に選択
最大 BVDSS (ブレークダウン電圧) が 20V 以下
低電圧 P チャネル MOSFET を採用して設計を行い、ブレークダウン電圧が 20V 以下のデバイスを選択することができます。
FemtoFET™ MOSFET
FemtoFET™ P チャネル MOSFET を使用する設計は、モバイル・ハンドセットやタブレットのほか、基板面積の節減やバッテリ動作時間の延長が必須のアプリケーションに最適です。
技術リソース
設計ガイド
FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D)
この資料は、これらの部品をプリント基板 (PCB) に取り付ける際に考慮する必要のある、表面実装技術 (SMT) に関連する課題について説明します。
アプリケーション・ノート
MOSFET Support and Training Tools (Rev. C)
パワー MOSFET の設計をサポートするために必要な資料とツールをすべて検索。
技術記事
使用する MOSFET はどのような種類の ESD 保護機能を搭載していますか？
望ましくない MOSFET 障害を防止するための各種 ESD 保護機能の違いと、さまざまな ESD 構造に関する設計上の重要な検討事項をご確認ください。
設計と開発に役立つリソース
評価ボード
FemtoFET P チャネル評価モジュール
This FemtoFET P-ch EVM includes six daughter cards, each card containing a different FemtoFET p-ch part number. The daughter cards allow the engineer to easily connect and test these tiny devices. The six FemtoFETs range from 12V to 20V Vds, and the size of the devices include F3 (...)
計算ツール
ロード・スイッチ・アプリケーション向け MOSFET 電力損失計算機
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。