Si 電力段
電力密度の最大化、効率の最適化、設計の効率化を実現
カテゴリ別の参照
TI の高度な電力段デバイスを活用することで、ソリューション サイズの最小化、電力密度の最大化、効率の最適化、およびシステム保護の強化を実現できます。高精度の遠隔測定機能を搭載した TI のスマート電力段と TI のスケーラブルなマルチフェーズ コントローラを組み合わせれば、効率的なマルチフェーズ DC/DC システム ソリューションを実現することができます。これらを組み合わせることで、冗長部品の排除、スイッチング損失の低減、およびシステム全体の信頼性の向上を、コンパクトなフットプリントで実現することができます。
種類別に選択
放熱最適化済みのフットプリントを採用した電力段
放熱最適化済みのフットプリントを採用したスマート電力段
業界で一般的なフットプリントのスマート電力段
TI の MOSFET 電力段がシステム効率の向上 & 設計の簡素化に貢献
高効率
PowerStack™ パッケージング技術は、寄生成分を極力排除し、スイッチング損失を低減すると同時に、大型のグランド リードフレームを通じて優れた放熱性能を実現しています。
強化された診断フィードバック
サイクルごとに高精度な温度補正を実行する双方向電流センシングを採用すると、システムの監視能力と温度を改善できます。また、障害監視機能は、システムの信頼性向上に貢献します。
高集積
MOSFET、ドライバ、電流センシング機能を内蔵しているため、複数の受動部品の排除に役立つ包括的な切り替え機能を実現し、ソリューション サイズの小型化やプリント基板レイアウトの簡素化を進めることができます。
技術リソース
Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
マルチフェーズ降圧レギュレータのご紹介
PowerStack™ パッケージング技術の概要
主なアプリケーションの概要
TI の MOSFET 電力段を採用すると、ソリューション全体のサイズ縮小、過渡応答と出力電圧リップルの改善、効率の最適化、システム保護機能の強化を実現可能
NexFET™ 電力段とマルチフェーズ・コントローラを組み合わせると、スイッチング損失の低減や、システムの効率と信頼性の向上を実現できます。
利点：
- PowerStack™ パッケージング技術は寄生成分を極力排除し、大型のグランド・リードフレームを通じて優れた放熱性能を実現しています。
- サイクルごとに高精度な温度補正を実行する双方向電流センスを採用すると、システムの監視能力を改善できます。障害監視機能は、システムの信頼性向上に貢献します。
- MOSFET、ドライバ、電流センサを内蔵しているため、複数の受動部品の排除に役立つ切り替え機能を実現し、プリント基板のレイアウトを簡素化することができます。
主なリソース
- CSD95410RRB – 90A ピークと連続、同期整流降圧 NexFET™ スマート電力段
- CSD95420RCB – 50A ピークと連続、同期整流降圧 NexFET™ スマート電力段
- CSD95411 – 65A の連続電流、同期整流降圧 NexFET™ 電力段
- Multiphase Buck Design from Start to Finish, Part 1 (Rev. B) – アプリケーション・ノート
MOSFET 電力段を採用すると、1,000A を上回る電源ソリューションの製作、過渡応答と出力電圧リップルの改善、効率の最適化、システム保護機能の強化を実現可能
NexFET™ 電力段とマルチフェーズ・コントローラを組み合わせると、スイッチング損失の低減や、システムの効率と信頼性の向上を実現できます。
利点：
- アクティブ、電流共有、フェーズ・ダブラー機能搭載の電力段技術を採用し、スタックされた複数の電力段の間で高精度の電流共有を確保しています。
- CSD95430 を採用すると、開発中電源ソリューションのスケーリング (拡大縮小) を容易に実現し、大電力アプリケーションに対応することができます。
- PowerStack™ パッケージング技術は寄生成分を極力排除し、大型のグランド・リードフレームを通じて優れた放熱性能を実現しています。
主なリソース
- CSD95430 – 90A ピークと連続電流、同期整流降圧 NexFET™ スマート電力段
- CSD95410RRB – 90A ピークと連続、同期整流降圧 NexFET™ スマート電力段
- CSD95420RCB – 50A ピークと連続、同期整流降圧 NexFET™ スマート電力段
最大 16V の入力電圧への対応、過渡応答と出力電圧リップルの改善、MOSFET 電力段の活用によるシステム保護能力の強化を実現可能
NexFET™ 電力段とマルチフェーズ・コントローラを組み合わせると、スイッチング損失の低減や、システムの効率と信頼性の向上を実現できます。
利点：
- 25V FET 技術を活用すると、最大 16V の入力電圧範囲に対応できます。
- PowerStack™ パッケージング技術は寄生成分を極力排除し、大型のグランド・リードフレームを通じて優れた放熱性能を実現しています。
- サイクルごとに高精度な温度補正を実行する双方向電流センスを採用すると、システムの監視能力を改善できます。障害監視機能は、システムの信頼性向上に貢献します。
主なリソース
- CSD96415 – 80A の連続電流、同期整流降圧 NexFET™ 電力段
- CSD96416 – 50A の連続電流、同期整流降圧 NexFET™ スマート電力段
- CSD95410RRB – 90A ピークと連続、同期整流降圧 NexFET™ スマート電力段
設計と開発に役立つリソース
PMBus インターフェイス搭載、D-CAP+™ 降圧コントローラ向け、デュアルチャネル (6+2/5+3) の評価基板
TPS53681EVM 評価基板を使用すると、低電圧、大電流、降圧のポイント オブ ロード (PoL) アプリケーションで、CSD95490 スマート電力段と組み合わせて使用する場合の TPS53681 コントローラの動作特性を評価できます。この場合、付属の PMBus インターフェイスを使用して、構成、制御、機能の監視を実施することになります。
このデバイスは 4.5V ～ 17V の範囲の電源電圧を使用し、PMBus インターフェイスと Fusion Digital Power™ Designer ソフトウェア経由のプログラミング (設定) と監視に対応しています。
TPSM831D31、8V ～ 14V 入力、デュアル出力、120A + 40A PMBus のパワー モジュール評価基板
デュアル チャネル（12+0、11+1、または10+2フェーズ）、D-CAP+降圧、PMBusインターフェース付きDC-DCアナログ EVM
TPS536C7EVM 評価基板 (EVM) を使用すると、TPS536C7 コントローラを評価できます。
このコントローラは、PMBus インターフェイスを搭載した、デュアルチャネル (12+0、11+1、または 10+2 相) 対応の D-CAP+™ 同期整流降圧ドライバレス制御回路です。このデバイスは 4.5V ～ 17V の範囲の電源電圧を使用して動作します。このコントローラを使用すると、PMBus インターフェイス経由でプログラミング (設定) と監視を実行できます。
この評価基板は、同期整流降圧 NexFET™ 90A スマート電力段デバイスである CSD95410 (...)