近年、窒化ガリウム (GaN) FETはその優れたスイッチング性能により、特にスペースに制約のある電源システムなどで広く採用され始めています。一方で、モーターアプリケーションでの採用は限定的であり、今後の成長性が期待されます。

GaN FETは高性能な素子である一方、その扱いは難しく、パフォーマンスと信頼性の両立が困難なケースが多いのが課題です。これに対し、TIではパフォーマンスと信頼性を両立したドライバ内蔵型のGaN FETモジュールを提供しております。

このセッションでは、以下の内容を取り上げます。

・GaN FETの基礎

・GaN vs SiC

・TI GaNの特徴とラインナップ

・モーター アプリケーションでのTI GaNの活用事例