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신제품
3kVRMS 4A/6A two-channel isolated gate driver with enable logic and programmable deadtime
대략적인 가격 (USD) 1ku | 0.44
광대역 갭 기술
모든 토폴로지에 사용할 수 있도록 높은 전원 밀도와 설계 간소화를 제공하는 고속 GaN 게이트 드라이버
TI의 드라이버의 빠른 타이밍 사양, 리드 없는 패키지 및 좁은 펄스 폭 응답을 조합하여 FET를 빠르게 전환할 수 있습니다. 게이트 전압 조정, 프로그래머블 데드 타임, 낮은 내부 전력 소모와 같은 추가 기능을 통해 고주파 스위칭이 가능한 가장 높은 효율을 얻을 수 있습니다.
GaN and SiC technologies enable increased efficiency in power supplies
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. B)
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
에너지 효율적이고 견고하고 컴팩트한 시스템 설계를 위한 실리콘 카바이드(SiC) 게이트 드라이버
TI에서 제공하는 SiC 및 IGBT 게이트 드라이버의 강력한 구동 전류, 높은 CMTI 및 짧은 전파 지연 시간으로 설계 효율성 향상. TI의 SiC 게이트 드라이버를 사용하면 빠르게 통합된 단락 보호 및 높은 서지 내성을 통해 시스템의 견고한 절연을 달성할 수 있습니다. TI의 빠르고 견고하고 안정적인 드라이버를 통해 더 높은 PWM 주파수에서 SiC를 전환하여 시스템 크기와 무게를 줄이고 비용 절감.
Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. C)
기술 리소스
Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)
게이트 드라이버 FAQ(자주 묻는 질문)
Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
설계 및 개발 자료
100-VIN 미만의 DC/DC 컨버터를 위한 전원 단계 레퍼런스 설계
옵토 에뮬레이트 입력 게이트 드라이버를 갖춘 200~480 VAC 드라이브를 위한 3상 인버터 게이트 레퍼런스 설계
480W,<17 mm, Thin Profile, 94% Efficiency, Fast Transient Response AC/>C SMPS 레퍼런스 설계
TIDA-0149는 낮은 프로파일(17mm 높이), 94.1% 피크 효율, 높은 전력 밀도, 범용 입력, 24V DC, 480W 출력, 소비자 AC/DC 전원 공급 장치 레퍼런스 설계입니다. 회로는 UCC28063A에 기반한 프론트 엔드 2상 인터리브 전환 모드(TM) PFC(역률 보정)로 구성되어 있으며, PFC 인덕터 크기를 최소화하고 EMI 필터 요구 사항을 줄입니다. HB-LLC 절연 DC/DC 단계는 UCC256301 하이브리드 히스테리시스 제어 LLC 컨트롤러로 제어되므로 빠른 과도 응답을 보장하여 PFC 벌크 및 출력 (...)