고전압의 막강한 파워를 활용하세요.
고전압 시스템의 요구 사항을 해결하도록 설계된 장치로 우수한 신뢰성 달성
고전압 설계를 최대한 활용
고전압 애플리케이션을 설계하려면 고유한 일련의 과제가 있습니다. 이러한 이유로 TI의 전력 변환, 전류 및 전압 감지, 절연 및 실시간 제어 기술이 함께 작동하여 고전압 설계를 간소화하고 최고 수준의 효율성과 안정성을 달성할 수 있습니다
As electrification becomes more common, semiconductor innovations enable us to interact with electric vehicles, renewable energy sources and other high-voltage systems safely and reliably.
고전압 설계에 TI를 선택해야 하는 이유
내장된 신뢰성
수십 년에 걸친 제조 경험을 통해 TI의 솔루션은 고전압 시스템에 필요한 안정성을 유지하면서 비용 및 성능 이점을 제공합니다.
특수 장치 포트폴리오
전력 변환에서 감지, 절연 및 실시간 제어에 이르기까지 TI의 아날로그 및 임베디드 디바이스가 함께 작동하여 고전압 설계를 간소화합니다.
포괄적인 시스템 노하우
TI의 포괄적인 시스템 전문 지식과 설계 리소스는 고전압 설계를 간소화하고 시장 출시 시기를 단축하는 데 도움이 됩니다.
확신을 갖고 고전압 시스템 설계
효율적인 전력 변환
시스템 효율성, 안정성 및 안전이 최우선인 고전압 설계에서 전력 손실을 최소화하는 것이 중요합니다. 아래의 리소스를 확인하여 시스템 효율성을 높이고 스위칭 및 전도 손실을 최소화하는 방법을 알아보고 TI의 고전압 전원 변환 포트폴리오 및 기술을 알아보십시오.
자세히 알아보기:
GaN이 전력 관리를 변화시키는 3가지 이유
IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals
정확한 감지
정확한 전류, 전압 및 온도 감지는 고전압 애플리케이션에 일반적으로 사용되는 혹독한 환경 조건에서 설계 안정성을 개선하는 데 중요한 역할을 합니다. 아래 리소스를 통해 고전압 설계의 전류 감지를 간소화하는 방법을 알아보고 전류, 전압 및 온도 센서 제품을 알아보십시오.
자세히 알아보기:
Using isolated comparators for fault detection in electric motor drives
안정적 절연
고전압 애플리케이션에 있어서 안전이 가장 중요합니다. 최신 절연 기술을 사용하여 이러한 시스템을 안전하게 유지하는 방법을 알아보고 고전압 절연 제품 및 기술에 대해 알아보십시오.
자세히 알아보기:
저지연 실시간 제어
고전압 시스템은 복잡한 전원 토폴로지에 의존하므로 안정성을 높이기 위해 특수 제어 기술이 필요합니다. 효율성과 전력 밀도를 높이도록 설계된 고급 마이크로컨트롤러를 사용하여 고전압 전원 설계를 극대화하는 방법을 알아보고 실시간 제어 제품 및 기술을 알아보십시오.
자세히 알아보기:
C2000 실시간 MCU로 GaN 기반 디지털 전원 설계를 최대한 활용
The Essential Guide for Developing With C2000 Real-Time Microcontrollers (Rev. F)
고객 성공 사례
TI의 고전압 기술에 대한 고객의 의견을 살펴보고 이 기술이 더 안전하고, 더 안정적이며, 더 효율적인 고전압 설계를 달성하는 데 어떤 도움을 주는지 알아보십시오.
Delta
"GaN의 애플리케이션은 효율성 성능을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 극대화할 수 있도록 고효율 파워 일렉트로닉스 분야의 델타(Electronics) 코어 전문성과 결합됩니다. 결과적으로 GaN 기술은 지금까지 불가능했던 새로운 제품 세계로 가는 문을 열어줍니다."
- Kai Dong | Delta Electronics, 커스텀 디자인 사업부 R&D 매니저
Ecoflow
"Ecoflow의 새로운 PowerStream 마이크로 인버터는 GaN(질화 갈륨) FET, C2000™ 실시간 MCU, 디지털 아이솔레이터, 절연 게이트 드라이버를 포함한 TI의 고전압 기술을 특징으로 합니다. TI GaN을 사용하여 마이크로 인버터를 더욱 소형화, 효율화하고, 신뢰성을 높일 수 있었습니다. TI의 C2000 MCU는 마이크로 인버터를 더 스마트하게 만드는 정교한 제어 알고리즘을 구현하는 데 도움이 되었습니다. 이 모든 것 덕분에 우리가 사용하기 쉽고 경쟁력 있는 제품을 만들 수 있었습니다. Ecoflow는 태양 에너지 시장에서 지속적인 혁신을 위해 노력하고 있으며, TI와 협력하여 향후 태양광 애플리케이션에 최신 기술을 접목하기를 기대하고 있습니다."
- Shida Gu | Ecoflow, 전력 하드웨어 엔지니어
주요 애플리케이션 알아보기
시스템 수준 효율성 향상 및 전력 밀도 최대화
TI의 고전압 기술을 사용하여 인버터 및 모터 제어 시스템을 위한 가장 안정적인 솔루션을 달성하십시오.
장점:
- IGBT 및 SiC FET용 절연 게이트 드라이버로 시스템 수준의 효율성을 개선하고 고장 상태를 모니터링하십시오.
- 고성능 실시간 마이크로컨트롤러로 새로운 아키텍처를 지원하고, 주행 범위를 높이고, 전력 밀도를 개선하십시오.
- 바이어스 전원 공급 장치 솔루션으로 시스템 비용을 최적화하고 기능 안전을 간소화하십시오.
- 전류 및 전압을 정확하게 측정하여 시스템 효율성, 신뢰성 및 성능을 향상시킵니다.
주요 리소스
- PMP23223 – Smart isolated gate driver with bias supply reference design
- PMP22817 – Automotive SPI-programmable gate driver and bias supply with integrated transformer reference design
- TIDM-02009 – ASIL D safety concept-assessed high-speed traction, bi-directional DC/DC conversion reference design
- EV 트랙션 인버터 시스템의 안전 개선 – 기술 기고문
- SiC 트랙션 인버터에서 전력 손실 및 열 발산 감소 – 기술 기고문
TI의 GaN FET, IGBT 및 SiC 게이트 드라이버 및 바이어스 전원 포트폴리오로 전력 밀도를 개선하세요
TI의 고전압 전력 변환, 전류 및 전압 감지 기술로 지원되는 안정적인 태양광 에너지 및 저장 시스템으로 더 지속 가능한 미래를 구축하도록 도와줍니다.
장점:
- GaN FET, GaN 및 SiC 지원 게이트 드라이버와 바이어스 공급 장치, 첨단 실시간 제어 MCU 등으로 구성된 TI 포트폴리오로 전력 밀도를 높이세요.
- 제어 루프, 아크 감지 및 절연 모니터링, 전류 감지 요구를 충족하는 빠르고 정확한 전류 센서.
주요 리소스
- TIDA-01606 – 10-kW, bidirectional three-phase three-level (T-type) inverter and PFC reference design
- TIDA-010210 – 11-kW, bidirectional, three-phase ANPC based on GaN reference design
- TIDA-010054 – Bi-directional, dual active bridge reference design for level 3 electric vehicle charging stations
배터리 효율을 최적화하고 배터리 팩의 안전성을 쉽게 진단 및 관리
전류 및 전압 감지, 절연 모니터링과 같은 가장 중요한 BMS 기능의 기술적 혁신을 활용하는 BMS 솔루션으로 전기 자동차(EV)의 광범위한 채택에 영향을 미치는 과제를 해결하십시오.
장점:
- 정확한 전류 및 전압 측정을 통해 배터리 모니터 및 밸런서로 배터리 팩의 안전성을 효과적으로 관리할 수 있습니다.
- 솔리드 스테이트 릴레이로 업계 최고의 안정성을 보장하고, 800V EV BMS의 안전성을 개선하고, 시스템 크기와 비용을 최대 50% 절감합니다.
주요 리소스
- TIDA-050063 – High-voltage solid-state relay active precharge reference design
전력 밀도를 높이고 DC 벽면 상자의 크기 감소
DC 충전소와 벽면의 비용을 낮추고 안전 및 전반적인 사용자 환경을 향상시키는 설계로 전기화의 미래를 만들어 줍니다.
장점:
- TI의 질화 갈륨(GaN) FET, SiC 및 IGBT 게이트 드라이버 및 절연 바이어스 전원 포트폴리오로 원하는 넓은 밴드갭 IC와 함께 작업하십시오.
- GaN 기술을 통해 IGBT 기반 솔루션에 대한 전력 밀도를 높이고 DC 벽면 박스의 크기를 줄입니다.
- 업계 최고의 전류 및 전압 센서 기술을 활용하여 전압 영역 간에 보다 안정적인 데이터 전송을 지원합니다.
주요 리소스
- TIDA-01606 – 10-kW, bidirectional three-phase three-level (T-type) inverter and PFC reference design
- TIDA-010210 – 11-kW, bidirectional, three-phase ANPC based on GaN reference design
- TIDA-010054 – Bi-directional, dual active bridge reference design for level 3 electric vehicle charging stations
- 고효율, 고출력 및 고속 EV 충전소 설계 – 기술 기고문
- Design Considerations for Current Sensing in DC EV Charging Applications – Application note
신뢰성 저하 없이 더 작은 공간에서 더 많은 전력 달성
TI의 고전압 전력 변환 및 저지연 실시간 제어 기술 포트폴리오를 통해 더 높은 신뢰성과 전력 밀도를 사용하여 더 높은 에너지 효율과 잘 보호되는 전원 설계를 만들 수 있습니다.
장점:
- TI의 GaN 기술을 사용하여 96.5%의 에너지 효율로 80 Plus® 티타늄 이상의 성능을 달성합니다.
- 통합 게이트 드라이버를 통해 기생 손실을 줄이고 시스템 수준 설계를 더 쉽게 만들 수 있습니다.
주요 리소스
- PMP23069 – 3-kW, 180-W/in3 single-phase totem-pole bridgeless PFC reference design with 16-A max input
- PMP23126 – 3-kW phase-shifted full bridge with active clamp reference design with > 270-W/in3 power density
- PMP40988 – Variable-frequency, ZVS, 5-kW, GaN-based, two-phase totem-pole PFC reference design
주요 고전압 제품 카테고리 찾아보기
고전압을 위한 주요 레퍼런스 설계
Variable-frequency, ZVS, 5-kW, GaN-based, two-phase totem-pole PFC reference design
AFE for insulation monitoring in high-voltage EV charging and solar energy reference design
Overcurrent and overtemperature protection for solid-state relays reference design
This reference design shows how to achieve overcurrent and overtemperature protection for a solid-state relay. The reference design features the TPSI3050-Q1 5-kVRMS reinforced isolated switch driver. TPSI3050-Q1 device integrates a laminate transformer to achieve isolation while transferring signal (...)
Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU
This reference design is a 3.-kW bidirectional interleaved continuous conduction mode (CCM) totem-pole (TTPL) bridgeless power factor correction (PFC) power stage using a C2000™ real-time controller and LMG3410R070 gallium nitride (GaN) with integrated driver and protection. (...)