Merkmale von DRV8106S-Q1EVM
- H-Brücken-EVM mit intelligentem Gate-Treiber für Automobilanwendungen
- Temperaturgrad 1: –40nbsp;°C bis +125nbsp;°C, TA
- Betriebsbereich von 4,9 V bis 37 V
- Verdoppler-Ladungspumpe für 100 % PWM
- Modus Halbbrückensteuerung
- SPI-Schnittstelle für detaillierte Konfiguration und Diagnose
- Smart-Gate-Drive-Architektur
- Anpassbare Anstiegsgeschwindigkeitssteuerung
- Spitzenquellenstromausgang von 0,5 mA bis 62 mA
- Spitzen-Sink-Stromausgang von 0,5 mA bis 62 mA
- Integriertes Totzeit-Handshaking
- MOSFET-Drain-Source- und Gate-Monitore
- Strom-Shunt-Verstärker mit breitem Gleichtaktbereich und
- Inline-Sensorik
- Einstellbare Verstärkungseinstellungen (10, 20, 40, 80 V/V)
- Interne Rückkopplungswiderstände
- Einstellbares PWM-Austastschema
- Integrierte Schutzfunktionen
- Dedizierter Treiber-Deaktivierungs-Pin (drvoff)
- Überwachung der Versorgungs- und Reglerspannung
- MOSFET-VDS-Überstromüberwachung
- MOSFET-VGS-Gate-Fehlerüberwachung
- Ladungspumpe für MOSFET mit Verpolung
- Offline-Diagnose von offenen Lasten und Kurzschlüssen
- Thermische Warnung und Abschaltung des Bausteins
- Interrupt-Pin für Fehlerzustände (n Fehler)
Beschreibung von DRV8106S-Q1EVM
Das DRV8106S-Q1EVM wurde entwickelt, um den DRV8106S-Q1 zu evaluieren, einen integrierten Treiber für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren, der für den Automobilbereich qualifiziert ist. Der DRV8106S-Q1nbsp;ist ein hochintegrierter Halbbrücken-Gate-Treiber, der High-Side- und Low-Side-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern kann. Er erzeugt die korrekten Gate-Treiberspannungen mit einer integrierten Verdoppler-Ladungspumpe für die Highside und einem Linearregler für die Lowside.
Der Baustein verwendet eine intelligente Gate-Drive-Architektur, um die Systemkosten zu senken und die Zuverlässigkeit zu erhöhen. Der Gate-Treiber optimiert die Totzeit zur Vermeidung von Shoot-Through-Bedingungen, bietet eine Kontrolle zur Reduzierung elektromagnetischer Interferenzen (EMI) durch einen einstellbaren Gate-Treiberstrom und schützt vor Drain-Source- und Gate-Kurzschlüssen durch VDS- und VGS-Überwachung.
Ein breiter Gleichtakt-Shunt-Verstärker bietet eine Inline-Strommessung zur kontinuierlichen Messung des Motorstroms.
Der DRV8106S-Q1 bietet eine Reihe von Schutzfunktionen, die einen robusten Systembetrieb gewährleisten. Dazu gehören Unter- und Überspannungsüberwachungen für die Stromversorgung und die Ladepumpe, VDS-Überstrom- und VGS-Gate-Fehlerüberwachungen für die externen MOSFETs, Offline-Diagnose bei offener Last und Kurzschluss sowie interner thermischer Warn- und Abschaltschutz.
Der DRV8106S-Q1EVM verfügt über eine Halbbrücke, die aus zwei n-Kanal-MOSFETs besteht, die Motoren bidirektional mit bis zu 15nbsp;A RMS, 20nbsp;A Spitzenstrom ansteuern. Die Stromversorgung des EVM erfolgt über ein einziges Netzteil für die analoge Versorgung und über die USB-Leitung für die digitale Versorgung, die auf Wunsch auch extern bereitgestellt werden kann. Für einen sauberen Stromeingang sorgen ein negativer 18-V-Verpolschutz und ein 20-A-RMS-PI-Filter zum Schutz vor falschen Batterieanschlüssen.