The LMG3616 is a 650-V 270-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3616 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.
Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.
The LMG3616 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
| Typ | Titel | Datum | ||
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| * | Data sheet | LMG3616650-V270-mΩ GaN FET With Integrated Driver datasheet | PDF | HTML | 14 Nov 2023 |
| Technischer Artikel | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | 29 Nov 2023 | ||
| More literature | Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs | PDF | HTML | 28 Nov 2023 |
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Das Evaluierungsmodul (EVM) LMG3626EVM-074 demonstriert die hohe Effizienz und Packungsdichte eines 65-W-USB-Power-Delivery- (PD-) Offline-Adapters unter Verwendung des integrierten GaN-FETs LMG3626 mit Strommessemulation. Der Eingang unterstützt universelle 90 VAC bis 265 VAC. Der einzelne Ausgang (...)
| Gehäuse | Pins | Herunterladen |
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| VQFN (REQ) | 38 | Ansichtsoptionen |
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The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use of LMG36XX integrated GaN FET.
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