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GaN (窒化ガリウム) IC

LMG3422R030

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ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET

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製品詳細

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQZ) 54 144 mm² 12 x 12
  • ハード・スイッチング・トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
  • ゲート・ドライバ内蔵の 600-V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • CMTI：200V/ns
    • 2.2MHz のスイッチング周波数
    • 30V/ns～150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度な電源管理
    • デジタル温度 PWM 出力
    • 理想ダイオード・モードによる第 3 象限での損失の低減 ( LMG3425R030)
  • ハード・スイッチング・トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
  • ゲート・ドライバ内蔵の 600-V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • CMTI：200V/ns
    • 2.2MHz のスイッチング周波数
    • 30V/ns～150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度な電源管理
    • デジタル温度 PWM 出力
    • 理想ダイオード・モードによる第 3 象限での損失の低減 ( LMG3425R030)

ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG342xR030 GaN FET を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG342xR030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。TI の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と TI の低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。 LMG3425R030 は理想ダイオード・モードを備えているため、アダプティブ・デッドタイム制御が可能で、第 3 象限の損失を低減します。

高度な電源管理機能として、デジタル温度通知とフォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。

ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG342xR030 GaN FET を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG342xR030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。TI の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と TI の低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。 LMG3425R030 は理想ダイオード・モードを備えているため、アダプティブ・デッドタイム制御が可能で、第 3 象限の損失を低減します。

高度な電源管理機能として、デジタル温度通知とフォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。
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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

LMG342X-BB-EVM — LMG342x ファミリ向け、LMG342x GaN システム・レベル評価マザーボード

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(...)
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ドーター・カード

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

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シミュレーション・モデル

LMG3422R030 PSpice Model

SNOM767.ZIP (270 KB) - PSpice Model
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シミュレーション・モデル

LMG3422R030 Unencrypted PSpice Model Package

SNOM704.ZIP (12 KB) - PSpice Model
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シミュレーション・モデル

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
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CAD/CAE シンボル

LMG3422R030 Step File

SNOR031.ZIP (410 KB)
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計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 輸出許可が必要 (1 分)
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GaN (窒化ガリウム) IC
LMG2100R044 — 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載対応、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ・パワー・ステージ
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SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

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PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

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VQFN (RQZ) 54 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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サポートとトレーニング

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