計算ツール
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
データシート
LMG3425R050
- ハード・スイッチング・トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
- ゲート・ドライバ内蔵の 600-V GaN オン Si FET
- 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
- CMTI：200V/ns
- 3.6MHz のスイッチング周波数
- 20V/ns～150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
- 7.5V～18V 電源で動作
- 堅牢な保護
- サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
- ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
- 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
- 高度な電源管理
- デジタル温度 PWM 出力
- 理想ダイオード・モードによる第 3 象限での損失の低減 ( LMG3425R050)
ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG342xR050 GaN FET を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。
LMG342xR050 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。TI の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と TI の低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。 LMG3425R050 は理想ダイオード・モードを備えているため、アダプティブ・デッドタイム制御が可能で、第 3 象限の損失を低減します。
高度な電源管理機能として、デジタル温度通知とフォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。
技術資料
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9 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LMG342xR050 ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、600V、50mΩ の GaN FET データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版をダウンロード (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 7月 6日 |
| ホワイト・ペーパー | Achieving GaN Products With Lifetime Reliability | PDF | HTML | 2021年 6月 2日 | |||
| ホワイト・ペーパー | Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK | 2021年 3月 18日 | ||||
| ホワイト・ペーパー | Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN | 2021年 3月 18日 | ||||
| ホワイト・ペーパー | Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs | 2021年 1月 5日 | ||||
| アプリケーション・ノート | Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A) | PDF | HTML | 2020年 11月 19日 | |||
| 技術記事 | How GaN FETs with integrated drivers and self-protection will enable the next gene | PDF | HTML | 2020年 11月 17日 | |||
| その他の技術資料 | A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET | 2020年 10月 20日 | ||||
| Analog Design Journal | Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC | 2020年 9月 22日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページを表示してください。
評価ボード
LMG342X-BB-EVM — LMG342x ファミリ向け、LMG342x GaN システム・レベル評価マザーボード
LMG342X-BB-EVM は、LMG3422EVM-043 などの LMG342xR0x0 ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 12A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。
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ドーター・カード
LMG3425EVM-041 — LMG3425R050 理想ダイオード・モード搭載の 600V 50mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード
LMG3425EVM-041 は、2 個の LMG3425R050 GaN FET によるハーフ・ブリッジ構成に、ラッチ型過電流保護機能を実装し、必要なすべての補助ペリフェラル回路を組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。
シミュレーション・モデル
LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model
SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
シミュレーション・ツール
PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®
PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| VQFN (RQZ) | 54 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating / リフローピーク温度
- MTBF/FIT 推定値
- 材料 (内容)
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。