The LMG3612 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3612 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.
Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.
The LMG3612 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
| 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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| * | データシート | LMG3612650-V120-mΩ GaN FET With Integrated Driver データシート | PDF | HTML | 2023年 11月 14日 |
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LMG3622EVM-082 は、電流センス エミュレーション機能を搭載した統合型 GaN FET である LMG3622 を使用し、65W USB Type-C® PD (パワー デリバリ) に対応するオフライン アダプタに適した高効率と高密度の回路を提示します。入力は、90VAC ～ 265VAC のユニバーサル商用電源に対応します。単一出力は、5V、9V、15V のいずれかに設定でき、どの場合も最大 3A を供給できます。ほかに、20V に設定し、最大 3.25A を供給することもできますが、この場合は USB PD インターフェイス コントローラによる制御が可能です。公称で最大 (...)
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
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| VQFN (REQ) | 38 | オプションの表示 |
The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use of LMG36XX integrated GaN FET.
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