UCC21530

アクティブ

5.7kVrms、4A/6A、EN ピンと DT ピン採用、DWK パッケージ封止、IGBT/SiC FET 向け、デュアルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 14.7 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 14.7 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
SOIC (DWK) 14 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 汎用:デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ
  • 幅広の SOIC-14 (DWK) パッケージ
  • ドライバ・チャネルの間隔 3.3mm
  • スイッチング・パラメータ:
    • 19ns (標準値) の伝搬遅延
    • 最小パルス幅:10ns
    • 最大遅延マッチング:5ns
    • 最大パルス幅歪み:6ns
  • 100V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI)
  • 絶縁バリアの寿命:40 年超
  • ピーク・ソース 4A、ピーク・シンク 6A の出力
  • TTL および CMOS 互換の入力
  • 3V~18V の入力 VCCI 範囲
  • 最大 25V の VDD 出力駆動電源
  • オーバーラップおよびデッド・タイムをプログラミング可能
  • 5ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度範囲: -40℃~+125℃
  • 安全関連認証:
    • DIN V VDE V 0884-11:2017-01 に準拠した絶縁耐圧:8000VPK
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧:5.7kVRMS (1 分間)
    • IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 最終製品規格による CSA 認証
    • GB4943.1-2011 による CQC 認証
  • 汎用:デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ
  • 幅広の SOIC-14 (DWK) パッケージ
  • ドライバ・チャネルの間隔 3.3mm
  • スイッチング・パラメータ:
    • 19ns (標準値) の伝搬遅延
    • 最小パルス幅:10ns
    • 最大遅延マッチング:5ns
    • 最大パルス幅歪み:6ns
  • 100V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI)
  • 絶縁バリアの寿命:40 年超
  • ピーク・ソース 4A、ピーク・シンク 6A の出力
  • TTL および CMOS 互換の入力
  • 3V~18V の入力 VCCI 範囲
  • 最大 25V の VDD 出力駆動電源
  • オーバーラップおよびデッド・タイムをプログラミング可能
  • 5ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度範囲: -40℃~+125℃
  • 安全関連認証:
    • DIN V VDE V 0884-11:2017-01 に準拠した絶縁耐圧:8000VPK
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧:5.7kVRMS (1 分間)
    • IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 最終製品規格による CSA 認証
    • GB4943.1-2011 による CQC 認証

UCC21530 は絶縁されたデュアル・チャネルのゲート・ドライバで、ピーク電流はソース 4A、シンク 6A です。IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET を最高 5MHz で駆動し、クラス最高の伝搬遅延とパルス幅歪みを実現するよう設計されています。

入力側は 5.7kVRMS の強化絶縁バリアによって 2 つの出力ドライバと分離され、同相過渡耐性 (CMTI) は最小で 100V/ns です。2 つの 2 次側ドライバ間は、内部的に機能絶縁されているため、1850V までの電圧で動作します。

このデバイスは 2 つのローサイド・ドライバ、2 つのハイサイド・ドライバ、またはデッド・タイム (DT) をプログラム可能な 1 つのハーフブリッジ・ドライバとして構成可能です。EN ピンが Low になると、両方の出力が同時にシャットダウンされ、オープンまたは High のときは通常動作します。フェイルセーフ手法として、1 次側のロジック障害が発生すると、両方の出力が強制的に Low になります。

このデバイスは、25V までの VDD 電源電圧を受け付けます。VCCI 入力電圧範囲が 3V~18V と広いため、このドライバはアナログ / デジタルいずれのコントローラとの接続にも適しています。すべての電源電圧ピンには、低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護機能が搭載されています。

UCC21530 は絶縁されたデュアル・チャネルのゲート・ドライバで、ピーク電流はソース 4A、シンク 6A です。IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET を最高 5MHz で駆動し、クラス最高の伝搬遅延とパルス幅歪みを実現するよう設計されています。

入力側は 5.7kVRMS の強化絶縁バリアによって 2 つの出力ドライバと分離され、同相過渡耐性 (CMTI) は最小で 100V/ns です。2 つの 2 次側ドライバ間は、内部的に機能絶縁されているため、1850V までの電圧で動作します。

このデバイスは 2 つのローサイド・ドライバ、2 つのハイサイド・ドライバ、またはデッド・タイム (DT) をプログラム可能な 1 つのハーフブリッジ・ドライバとして構成可能です。EN ピンが Low になると、両方の出力が同時にシャットダウンされ、オープンまたは High のときは通常動作します。フェイルセーフ手法として、1 次側のロジック障害が発生すると、両方の出力が強制的に Low になります。

このデバイスは、25V までの VDD 電源電圧を受け付けます。VCCI 入力電圧範囲が 3V~18V と広いため、このドライバはアナログ / デジタルいずれのコントローラとの接続にも適しています。すべての電源電圧ピンには、低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護機能が搭載されています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート UCC21530 4A、6A、5.7kVRMS、チャネル間隔 3.3mm の絶縁デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版をダウンロード (Rev.C) PDF | HTML 2022年 8月 24日
証明書 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. C) 2022年 12月 2日
証明書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. R) 2022年 7月 12日
アプリケーション・ノート The Use and Benefits of Ferrite Beads in Bate Drive Circuits PDF | HTML 2021年 12月 16日
EVM ユーザー ガイド (英語) Using the UCC21520EVM-286, UCC21521CEVM-286, and UCC21530EVM286 User's Guide (Rev. C) PDF | HTML 2021年 10月 21日
証明書 CSA Product Certificate (Rev. A) 2019年 8月 15日
技術記事 Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations 2019年 8月 6日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技術記事 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

UCC21530EVM-286 — UCC21530 絶縁型デュアルチャネル・ドライバの評価モジュール

UCC21530EVM-286 is designed for evaluating UCC21530DWK, which is an isolated dual-channel gate driver with 4-A source and 6-A sink peak current, 12V UVLO, Enable (Active High) Function and 3.3 mm creepage between channels . This EVM could be served as a reference design for driving IGBTS and SiC (...)
ユーザー・ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

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SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice Model
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

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TIDA-010054 — TIDA-010054

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設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

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設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DWK) 14 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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