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UCC5870-Q1

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車載対応、IGBT/SiC FET 向け、3.75kVrms、30A、シングルチャネル機能安全絶縁型ゲート・ドライバ

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UCC5870-Q1

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製品詳細

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 3750 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 5250 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 1000 Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 150 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 3750 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 5250 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 1000 Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 150 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
SSOP (DWJ) 36 96 mm² 12.8 x 7.5
  • Split output driver provides 30-A peak source and 30-A peak sink currents
  • Adjustable "on the fly" gate drive strength
  • Interlock and shoot-through protection with 150-ns(max) propagation delay and programmable minimum pulse rejection
  • Primary and Secondary side active short circuit (ASC) support
  • Configurable power transistor protections
    • DESAT based short circuit protection
    • Shunt resistor based overcurrent and short circuit protection
    • NTC based overtemperature protection
    • Programmable soft turnoff (STO) and two-level turnoff (2LTOFF) during power transistor faults
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built-in self test (BIST) for protection comparators
    • IN+ to transistor gate path integrity
    • Power transistor threshold monitoring
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm (nFLT1) and warning (nFLT2) outputs
  • Integrated 4-A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Advanced high voltage clamping control
  • Internal and external supply undervoltage and overvoltage protection
  • Active output pulldown and default low outputs with low supply or floating inputs
  • Driver die temperature sensing and overtemperature protection
  • 100-kV/µs minimum common mode transient immunity (CMTI) at VCM = 1000V
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • Integrated 10-bit ADC for power transistor temperature, voltage, and current monitoring
  • Safety-related certifications:
    • 3750– VRMS isolation for 1 minute per UL1577 (planned)
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 0: –40°C to 125°C ambient operating temperature
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4b
  • Split output driver provides 30-A peak source and 30-A peak sink currents
  • Adjustable "on the fly" gate drive strength
  • Interlock and shoot-through protection with 150-ns(max) propagation delay and programmable minimum pulse rejection
  • Primary and Secondary side active short circuit (ASC) support
  • Configurable power transistor protections
    • DESAT based short circuit protection
    • Shunt resistor based overcurrent and short circuit protection
    • NTC based overtemperature protection
    • Programmable soft turnoff (STO) and two-level turnoff (2LTOFF) during power transistor faults
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built-in self test (BIST) for protection comparators
    • IN+ to transistor gate path integrity
    • Power transistor threshold monitoring
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm (nFLT1) and warning (nFLT2) outputs
  • Integrated 4-A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Advanced high voltage clamping control
  • Internal and external supply undervoltage and overvoltage protection
  • Active output pulldown and default low outputs with low supply or floating inputs
  • Driver die temperature sensing and overtemperature protection
  • 100-kV/µs minimum common mode transient immunity (CMTI) at VCM = 1000V
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • Integrated 10-bit ADC for power transistor temperature, voltage, and current monitoring
  • Safety-related certifications:
    • 3750– VRMS isolation for 1 minute per UL1577 (planned)
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 0: –40°C to 125°C ambient operating temperature
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4b

The UCC5870-Q1 device is an isolated, highly configurable single-channel gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections, such as shunt-resistor–based overcurrent, NTC-based overtemperature, and DESAT detection, include selectable soft turn-off or two-level turn-off during these faults. To further reduce the application size, the UCC5870-Q1 integrates a 4-A active Miller clamp during switching, and an active gate pulldown while the driver is unpowered. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to six analog inputs and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL-D compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI interface, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.

The UCC5870-Q1 device is an isolated, highly configurable single-channel gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections, such as shunt-resistor–based overcurrent, NTC-based overtemperature, and DESAT detection, include selectable soft turn-off or two-level turn-off during these faults. To further reduce the application size, the UCC5870-Q1 integrates a 4-A active Miller clamp during switching, and an active gate pulldown while the driver is unpowered. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to six analog inputs and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL-D compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI interface, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.
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Functional safety compliant 30-A isolated IGBT/SiC MOSFET gate driver with advanced protection features for automotive applications with 5.7-kV isolation voltage

技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
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設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

UCC5870QDWJEVM-026 — UCC5870-Q1 functional safety compliant 15-A isolated IGBT/SiC MOSFET gate driver evaluation module

UCC5870-Q1 評価基板は、先進的な保護機能を搭載した、TI の 15A 絶縁型シングルチャネル・ゲート・ドライバである UCC5870-Q1 を評価する目的で設計してあります。このドライバは、HEV/EV アプリケーションで大電力の SiC MOSFET と IGBT を駆動することを想定しています。アクティブ・ミラー・クランプ、DESAT 検出、シャント電流センシングのサポート、ソフト・ターンオフ、VCE の過電圧保護、ゲート・ドライバ電源の UVLO と OVLO (...)
TI.com で取り扱いなし
評価ボード

UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1 機能安全準拠、15A、絶縁、3 相、IGBT/SiC MOSFET ゲート・ドライバの EVM (評価基板)

UCC5870-Q1 3 相評価基板 (EVM) は、先進的な保護機能を搭載した、TI の 15A 絶縁型シングルチャネル・ゲート・ドライバを評価するための設計を採用しています。この EVM (評価基板) は、EV/HV (電気自動車とハイブリッド車) アプリケーションで大電力の SiC MOSFET と IGBT を駆動することを想定しています。この 3 相 EVM (評価基板) は、ドライバのシリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI) 向けソフトウェアのデバッグと、診断、保護、監視に関するドライバの高度な機能を検討する目的で使用できます。

TI.com で取り扱いなし
評価基板 (EVM) 向けの GUI

UCC5870-Q1 EVM GUI Software (Rev. A)

SLUC700A.ZIP (31568 KB)
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シミュレーション・モデル

Simplis functional model for UCC5870-Q1 Simplis functional model for UCC5870-Q1

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シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リクエスト
計算ツール

UCC5870-Q1 XL Calculator Tool UCC5870-Q1 XL Calculator Tool

lock = エクスポートの承認が必要 （1 分）
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リファレンス・デザイン

PMP22817 — 車載対応、SPI プログラマブル・ゲート・ドライバとトランス内蔵バイアス電源のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、トラクション・インバータとオンボード・チャージャ内のパワー・スイッチを想定した、絶縁型バイアス電源と絶縁型ゲート・ドライバを実現します。バイアス電源とドライバの両方が、800VDC バス・アプリケーションが必要とする高い絶縁能力 (3kV RMS で 1 分間) を達成しています。絶縁型バイアスは 24VDC を生成するほか、+15V と -5V 両方のゲート駆動バイアスを供給します。この絶縁型ドライバは、このような大電力スイッチのオン / オフを迅速に切り替えるために必要な大電流 (最大 30A ピーク) (...)
リファレンス・デザイン

TIDM-02009 — ASIL D 安全性コンセプト検証済み、高速トラクション、双方向 DC/DC 変換のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、単一の TMS320F28388D リアルタイム C2000™ マイコンを使用して、HV/EV (ハイブリッド車と電気自動車) のトラクション・インバータおよび双方向 DC/DC コンバータを制御する方法を提示します。トラクション制御機能はソフトウェア・ベースのリゾルバ/デジタル・コンバータ (RDC) を使用し、最高 20,000RPM に達する高速でモーターを駆動します。DC/DC コンバータは、位相シフト・フルブリッジ (PSFB) トポロジーと同期整流 (SR) 方式を採用したピーク電流モード制御 (PCMC) (...)
document-generic 回路図
パッケージ ピン数 ダウンロード
SSOP (DWJ) 36 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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