ホーム パワー・マネージメント ゲート・ドライバ 絶縁型ゲート・ドライバ

UCC5880-Q1

プレビュー

車載、高度な保護機能搭載、20A、絶縁型、リアルタイムで可変の IGBT/SiC MOSFET ゲート ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DFC) 32 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • ドライブ強度を即座にプログラム可能なデュアル出力の分割ドライバ
    • ±15A および ±5A の駆動電流出力
    • SPI なしで駆動強度を調整するためのデジタル入力ピン (GD*)
    • 3 つの抵抗設定 R1、R2、または R1||R2
    • 内蔵の 4A アクティブ・ミラー・クランプまたはミラー・クランプ・トランジスタ用外部駆動 (任意)
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ・ショート・サーキット (ASC) をサポート
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
  • ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • 短絡保護:
    • 過電流イベントに対する応答時間 75ns
    • DESAT 保護 – 最大 14V まで選択可能
    • シャント抵抗をベースとする過電流保護
    • 保護スレッショルドの値とブランキング時間を構成可能
    • プログラマブル・ソフト・ターンオフ (STO) および 2 レベルのソフト・ターンオフ (2STO) 電流
  • 10 ビット ADC 内蔵
    • パワー・スイッチ温度、ドライバのダイ温度、DESAT ピン電圧、VCC2 電圧、位相電流、DC リンク電圧
    • プログラム可能なデジタル・コンパレータ
  • 高度な VCE/VDS クランプ回路
  • 機能安全準拠
    • 機能安全アプリケーション向けに開発
    • ASIL D までの ISO 26262 システム設計を支援するドキュメントを提供
  • 診断機能内蔵:
    • 保護コンパレータ用の内蔵セルフ・テスト (BIST)
    • パワー・デバイスの状態監視用のゲート・スレッショルド電圧測定
    • INP からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • 内部クロックの監視
    • フォルト・アラームおよび警告出力 (nFLT*)
    • ISO 通信データの整合性チェック
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • CMTI:100kV/µs
  • 安全関連認証:
    • UL1577 に準拠した絶縁耐圧 (予定):5kVRMS (1 分間)
    • DIN VDE 0884-11 に準拠した強化絶縁耐圧:7070VPK2017-01 (予定)
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:-40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • ドライブ強度を即座にプログラム可能なデュアル出力の分割ドライバ
    • ±15A および ±5A の駆動電流出力
    • SPI なしで駆動強度を調整するためのデジタル入力ピン (GD*)
    • 3 つの抵抗設定 R1、R2、または R1||R2
    • 内蔵の 4A アクティブ・ミラー・クランプまたはミラー・クランプ・トランジスタ用外部駆動 (任意)
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ・ショート・サーキット (ASC) をサポート
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
  • ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • 短絡保護:
    • 過電流イベントに対する応答時間 75ns
    • DESAT 保護 – 最大 14V まで選択可能
    • シャント抵抗をベースとする過電流保護
    • 保護スレッショルドの値とブランキング時間を構成可能
    • プログラマブル・ソフト・ターンオフ (STO) および 2 レベルのソフト・ターンオフ (2STO) 電流
  • 10 ビット ADC 内蔵
    • パワー・スイッチ温度、ドライバのダイ温度、DESAT ピン電圧、VCC2 電圧、位相電流、DC リンク電圧
    • プログラム可能なデジタル・コンパレータ
  • 高度な VCE/VDS クランプ回路
  • 機能安全準拠
    • 機能安全アプリケーション向けに開発
    • ASIL D までの ISO 26262 システム設計を支援するドキュメントを提供
  • 診断機能内蔵:
    • 保護コンパレータ用の内蔵セルフ・テスト (BIST)
    • パワー・デバイスの状態監視用のゲート・スレッショルド電圧測定
    • INP からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • 内部クロックの監視
    • フォルト・アラームおよび警告出力 (nFLT*)
    • ISO 通信データの整合性チェック
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • CMTI:100kV/µs
  • 安全関連認証:
    • UL1577 に準拠した絶縁耐圧 (予定):5kVRMS (1 分間)
    • DIN VDE 0884-11 に準拠した強化絶縁耐圧:7070VPK2017-01 (予定)
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:-40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B

UCC5880-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能な絶縁型のスルーレート調整可能なゲート・ドライバです。シャント抵抗をベースにした、過電流検出、過熱 (PTC、NTC、ダイオード) 検出、DESAT 検出などによってパワー・トランジスタを保護しており、これらの障害発生時にソフト・ターンオフまたは 2 レベルのソフト・ターンオフを選択できます。アプリケーションのサイズをさらに小さくするため、UCC5880-Q1 は、アクティブ・ミラー・クランプと、ドライバに電力が供給されていない間のアクティブ・ゲート・プルダウンを内蔵しています。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 2 つのアナログ入力 (VCC2、DESAT) とゲート・ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI を使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

UCC5880-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能な絶縁型のスルーレート調整可能なゲート・ドライバです。シャント抵抗をベースにした、過電流検出、過熱 (PTC、NTC、ダイオード) 検出、DESAT 検出などによってパワー・トランジスタを保護しており、これらの障害発生時にソフト・ターンオフまたは 2 レベルのソフト・ターンオフを選択できます。アプリケーションのサイズをさらに小さくするため、UCC5880-Q1 は、アクティブ・ミラー・クランプと、ドライバに電力が供給されていない間のアクティブ・ゲート・プルダウンを内蔵しています。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 2 つのアナログ入力 (VCC2、DESAT) とゲート・ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI を使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ
詳細リクエスト

詳細なデータシート、機能安全資料、その他の情報が入手可能です。 ご請求

UCC588x-Q1 複合デバイス ドライバ ソフトウェアが入手可能です。ご請求

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。
14 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート UCC5880-Q1 車載アプリケーション用の高度な保護機能を搭載した絶縁型 20A 調整可能ゲート・ドライブ IGBT/SiC MOSFET ゲート・ドライバ データシート PDF | HTML 英語版をダウンロード PDF | HTML 2022年 12月 21日
技術記事 Three key components needed to boost performance of next generation EV traction inverters PDF | HTML 2024年 1月 5日
技術記事 How to maximize SiC traction inverter efficiency with real-time variable gate drive strength PDF | HTML 2024年 1月 4日
証明書 UCC5880INVERTEREVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2023年 3月 13日
ホワイト・ペーパー Design Priorities in EV Traction Inverter With Optimum Performance (Rev. A) PDF | HTML 2023年 2月 8日
技術記事 Improving safety in EV traction inverter systems PDF | HTML 2022年 12月 8日
証明書 UCC5880QEVM-057 EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022年 11月 11日
ホワイト・ペーパー Design Priorities in EV Traction Inverter With Optimum Performance.. PDF | HTML 2022年 9月 27日
ホワイト・ペーパー Design Priorities in EV Traction Inverter With Optimum Performance.... PDF | HTML 2022年 9月 27日
ホワイト・ペーパー EV (電気自動車) のトラクション・インバータで設計の優先順位が性能最適化の場合 PDF | HTML 最新の英語版をダウンロード (Rev.A) PDF | HTML 2022年 9月 27日
ホワイト・ペーパー Traction Inverters – A Driving Force Behind Vehicle Electrification.. PDF | HTML 2022年 8月 17日
ホワイト・ペーパー Traction Inverters – A Driving Force Behind Vehicle Electrification.... PDF | HTML 2022年 8月 17日
ホワイト・ペーパー トラクション・インバータ – 自動車の電動化を支える推進力 PDF | HTML 英語版をダウンロード PDF | HTML 2022年 8月 17日
技術記事 Reducing power loss and thermal dissipation in SiC traction inverters PDF | HTML 2022年 6月 10日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページを表示してください。

評価ボード

UCC5880INVERTEREVM — UCC5880-Q1 evaluation module for variable isolated gate drive in traction inverters

UCC5880INVERTEREVM ボードは 2 種類の方法で使用できます。スタンドアロンで使用する場合、100nF のコンデンサ負荷を基板に半田付けし、 UCC5880-Q1 ドライバをテストします。大電力のテストを実施する場合、SiC ベースのハーフブリッジ パワー モジュールである Wolfspeed XM3 を直接駆動します。絶縁型バイアス電源である UCC14240-Q1 を 2 個、ボードに搭載しています。この評価基板 (EVM) は、一般的な SPI、デイジーチェーン接続、TI のアドレスをベースとする方式など、さまざまな SPI (...)

評価ボード

UCC5880QEVM-057 — UCC5880-Q1 20A、絶縁型、調整可能な IGBT/SiC MOSFET ゲート・ドライバの評価基板

UCC5880-Q1 評価基板は、調整可能なゲート・ドライブ能力と高度な保護機能を搭載した 20A 絶縁シングルチャネル・ゲート・ドライバを評価できる設計を採用しています。このゲート・ドライバは、EV/HV (電気自動車とハイブリッド車) アプリケーションで大電力の SiC MOSFET と IGBT を駆動することを想定しています。UCC5880-Q1 ドライバ段は分割出力のデュアル・ドライバを採用しており、アプリケーションの多様な条件に合わせるために、最大限のフレキシビリティでゲート駆動能力を調整できます。アクティブ・ミラー・クランプ、DESAT (脱飽和) (...)

シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン

TIDM-02014 — 車載対応、大電力、高性能、SiC トラクション・インバータのリファレンス・デザイン

TIDM-02014 は、テキサス インスツルメンツと Wolfspeed が開発した、SiC ベース、800V、300kW のトラクション インバータ システムのリファレンス デザインで、設計エンジニアが高性能で高効率のトラクション インバータ システムを作成して市場に投入するまでの期間を短縮するための基盤として使用できます。このソリューションは、TI と Wolfspeed が開発したトラクション インバータ システムの技術を使用してシステムの効率を向上させる方法を提示します。そのために、高性能の絶縁型ゲート ドライバと、リアルタイムで可変のゲート・ドライブ能力を活用して (...)
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

PMP31236 — Gate driver reference design for HybridPACK™ Drive IGBT modules

This reference uses six UCC5880-Q1 gate-drive ICs and six LM5180-Q1 isolated bias supplies to interface with and drive Infineon HybridPACK™ insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules. The isolated output voltage is +15 V and −8 V with 100-mA maximum output current each. The input voltage (...)
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
SSOP (DFC) 32 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートが活用可能

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ