LMG3411EVM-029 LMG3411R070 600-V 70-mΩ GaN with cycle-by-cycle overcurrent protection half-bridge daughter card angled board image

LMG3411EVM-029

具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R070 600-V 70-mΩ GaN

定價

數量 價格
+

LMG3411EVM-029 的特色

  • 輸入電壓運作最多 600V
  • 簡易的開迴路設計可評估 LMG3411R070 的性能
  • 板載單 PWM 輸入,具 50 ns 失效時間,可用於 PWM 訊號
  • 逐週期過電流防護功能
  • 使用具有短接地彈簧探針的示波器探針,提供方便的邏輯和功率級測量探針點

LMG3411EVM-029 的說明

LMG3411EVM-029 配置半橋中兩個 LMG3411R070 GaN FET,並具備逐週期過電流防護和所有必要輔助周邊電路。此 EVM 設計旨在搭配較大型系統運作。

定價

數量 價格
+