LMG3522EVM-042 LMG3522R030-Q1 automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver daughter card angled board image

LMG3522EVM-042

配備整合式驅動器子卡的 LMG3522R030-Q1 車用 650-V 30-mΩ GaN FET

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LMG3522EVM-042 的特色

  • 輸入電壓運作最多 650 V
  • 簡易的開迴路設計可評估 LMG3522R030-Q1 的性能
  • 板載單/雙 PWM 輸入,具可變失效時間且可用於 PWM 訊號
  • 逐週期過電流防護功能
  • 使用具有短接地彈簧探針的示波器探針,提供方便的邏輯和功率級測量探針點

LMG3522EVM-042 的說明

LMG3522EVM-042 可配置半橋中兩個 LMG3522R030 GaN FET,並具備逐週期過電流防護、鎖存短路防護功能和所有必要輔助周邊電路。此 EVM 設計旨在與較大的系統配合使用。

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