DRV8706H-Q1EVM Automotive half-bridge smart gate driver evaluation module with wide common mode current sense amp angled board image

DRV8706H-Q1EVM

車載対応、広い同相モードに対応する電流センス・アンプ搭載、ハーフ・ブリッジ・スマート・ゲート・ドライバの評価基板

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DRV8706H-Q1EVM の特徴

  • 4.9V ~ 37V、および最大 15A RMS、20A のピーク電流 に対応する H ブリッジ・スマート・ゲート・ドライブ EVM には、SPI と HW の各派生版があり、車載ブラシ付き DC モーターの各種アプリケーションで使用可能
  • スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャは、スルーレート制御とデッドタイム・ハンドシェイクの各機能を搭載し、0.5mA ~ 62mA のソース (供給) およびシンク (吸い込み) という各ピーク出力電流に対応
  • インライン センシング機能とゲイン設定機能と統合型 PWM (パルス幅変調) ブランキング方式とフィードバック抵抗を搭載した、同相範囲の広い電流シャント アンプ
  • 統合型の保護機能:ドライバのディスエーブル・ピン、VDS/VGS、電源、チャージ・ポンプ、発熱、SPI 専用のオフライン診断モニタ
  • 増倍チャージ・ポンプは、100% PWM、独立型のハーフ・ブリッジ、PH/EN、PWM、HS (ハイサイド) と LS (ローサイド) 分割型のソレノイド制御 PWM モードに対応

DRV8706H-Q1EVM に関する概要

DRV8706H-Q1EVM は、統合型の車載認証取得済みブラシ付き DC モーター ドライバである DRV8706H-Q1 の評価に適した設計を採用しています。DRV8706H-Q1 は、高集積 H ブリッジ ゲート ドライバであり、ハイサイドとローサイドの各 N チャネル パワー MOSFET を駆動する能力があります。ハイサイドで内蔵の電圧増倍チャージ・ポンプを使用し、ローサイドでリニア・レギュレータを使用して、適切なゲート・ドライブ電圧を生成します。

このデバイスはスマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャを使用し、システム・コストの削減と信頼性の向上に貢献します。ゲート ドライバはデッドタイムを最適化して貫通電流の条件成立を回避し、調整可能なゲート ドライブ電流を通じて電磁干渉 (EMI) を低減するための制御を実施するほか、VDS モニタと VGS モニタを使用して、ドレイン ソース間、およびドレイン ゲート間の短絡条件からの保護を実現します。
同相範囲の広いシャント アンプは、インライン電流センシング機能を実現し、モーター電流を連続的に測定できます。

DRV8706H-Q1 は、一連の保護機能を搭載しており、信頼性の高いシステム動作の確実な実現に貢献します。これらに該当するのは、電源電圧とチャージ ポンプ向けの低電圧と過電圧のモニタ、外部 MOSFET 向けの VDS 過電流モニタと VGS ゲート障害モニタ、内部の過熱警告機能とシャットダウン保護機能です。

DRV8706H-Q1EVM は、4 個の N チャネル MOSFET で構成された 1 個のフル H ブリッジを採用しており、最大 15A RMS、20A のピーク電流で、モーターを双方向駆動することができます。この評価基板 (EVM) はアナログ電源に関しては単一電源電圧の供給、デジタル電源に関しては USB ラインからの電力供給で動作します。後者はカスタマイズにより、外部電源からの供給に切り替え可能です。最大で -18V のバッテリ逆接続に対処する保護回路と、20A RMS 定格の PI フィルタを組み合わせ、電源からの入力ノイズを低減するほか、不適切なバッテリ接続から保護します。

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