DRV8706S-Q1EVM の特徴
- 車載アプリケーション向け、H ブリッジ スマート ゲート ドライバの評価基板 (EVM)
- 温度グレード 1：–40℃ ～ +125℃ の TA (周囲温度)
- 動作電圧範囲：4.9V ～ 37V
- 100% PWM に対応するダブラー・チャージ・ポンプ
- ハーフブリッジおよび H ブリッジ制御モード
- 詳細な構成と診断向けの SPI インターフェイス
- スマート ゲート ドライブ アーキテクチャ
- 調整可能なスルー・レート制御
- 0.5mA～62mA のピーク・ソース電流出力
- 0.5mA～62mA のピーク・シンク電流出力
- デッドタイム・ハンドシェイクを集積
- MOSFET のドレイン ソース間とドレイン ゲート間のモニタ
- 同相範囲の広い電流シャント アンプ
- インライン センシング
- 可変ゲイン設定 (10、20、40、80V/V)
- 高集積帰還抵抗
- 可変 PWM ブランキング方法
- 内蔵保護機能
- 専用のドライバ ディスエーブル ピン (DRVOFF)
- 電源 / レギュレータ電圧監視
- MOSFET の VDS 過電流モニタ
- MOSFET の VGS ゲート故障モニター
- 反転極性 MOSFET 用チャージ・ポンプ
- オフライン・オープン負荷と短絡診断
- デバイス熱警告とシャットダウン
- 故障条件割り込みピン (nFAULT)
DRV8706S-Q1EVM に関する概要
DRV8706S-Q1EVM は、統合型の車載認証済みブラシ付き DC モーター ドライバである DRV8706S-Q1 を評価するための設計を採用しています。DRV8706S-Q1 は高集積の H ブリッジ ゲート ドライバであり、ハイサイドとローサイドの各 N チャネル パワー MOSFET を駆動する能力があります。ハイサイドで内蔵の電圧増倍チャージ・ポンプを使用し、ローサイドでリニア・レギュレータを使用して、適切なゲート・ドライブ電圧を生成します。
このデバイスはスマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャを使用し、システム・コストの削減と信頼性の向上に貢献します。ゲート ドライバはデッドタイムを最適化して貫通電流の条件成立を回避し、調整可能なゲート ドライブ電流を通じて電磁干渉 (EMI) を低減するための制御を実施するほか、VDS モニタと VGS モニタを使用して、ドレイン ソース間、およびドレイン ゲート間の短絡条件からの保護を実現します。
広い同相シャント・アンプにより、インライン電流検出機能が実現し、ウィンドウの再循環中であっても、モーター電流を連続的に測定できます。インライン検出が必要ない場合は、ローサイドまたはハイサイドのセンス構成でアンプを使用できます。
DRV8706S-Q1 は、一連の保護機能を搭載しており、信頼性の高いシステム動作の確実な実現に貢献します。保護機能として、電源電圧とチャージ ポンプの低電圧監視と過電圧監視、外部 MOSFET の VDS 過電流監視と VGS ゲート障害監視、オフラインの負荷開路と短絡の診断、内部の温度警告と過熱保護の各機能を搭載しています。
DRV8706S-Q1EVM は、4 個の N チャネル MOSFET で構成された 1 個の H ブリッジを採用しており、最大 15A RMS、20A のピーク電流で、モーターを双方向駆動することができます。この評価基板 (EVM) はアナログ電源に関しては単一電源電圧の供給、デジタル電源に関しては USB ラインからの電力供給で動作します。後者はカスタマイズにより、外部電源からの供給に切り替え可能です。最大で -18V のバッテリ逆接続に対処する保護回路と、20A RMS 定格の PI フィルタを組み合わせ、電源からの入力ノイズを低減するほか、不適切なバッテリ接続から保護します。