LMG3522EVM-042 LMG3522R030-Q1 automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver daughter card angled board image

LMG3522EVM-042

LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター・カード

価格

数量 価格
+

LMG3522EVM-042 の特徴

  • 最大 650V の入力電圧で動作
  • LMG3522R030-Q1 の性能を評価するシンプルなオープン・ループ設計
  • 可変デッドタイムの PWM 信号に対応するオンボードのシングル / デュアル PWM 入力
  • サイクルごとの過電流保護機能
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できる、利便性の高い複数のプローブ点

LMG3522EVM-042 に関する概要

LMG3522EVM-042 は、2 個の LMG3522R030 GaN FET によるハーフブリッジ構成に、サイクルごとの過電流保護機能とラッチ付き短絡保護機能を実装し、必要な補助ペリフェラル回路をすべて組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

価格

数量 価格
+