封装信息
封装 | 引脚 VSONP (DQJ) | 8 |
工作温度范围 (°C) -55 to 150 |
包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
CSD19533Q5A 的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用范围
- 初级侧电信应用
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
CSD19533Q5A 的说明
这款 100V,7.8mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.3°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%