封装信息
封装 | 引脚 PicoStar (YME) | 4 |
工作温度范围 (°C) -55 to 150 |
包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
CSD85302L 的特性
- 共漏极配置
- 低导通电阻
- 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 标准
- 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV
应用
- USB Type-C/PD
- 电池管理
- 电池保护
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CSD85302L 的说明
这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。