6-pin (DQK) package image

CSD87502Q2T 正在供货

采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

正在供货 custom-reels 定制 可提供定制卷带

定价

数量 价格
+

其他包装数量 | 包装选项 这些产品完全相同,仅包装类型不同

CSD87502Q2 正在供货 custom-reels 定制 可提供定制卷带
包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R
库存
数量 | 价格 1ku | +

质量信息

等级 Catalog
RoHS
REACH
引脚镀层/焊球材料 NIPDAU | SN
MSL 等级/回流焊峰值温度 Level-1-260C-UNLIM
质量、可靠性
和封装信息

包含信息:

  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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包含信息:

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  • 封装厂地点
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出口管制分类

*仅供参考

  • 美国 ECCN:EAR99

封装信息

封装 | 引脚 WSON (DQK) | 6
工作温度范围 (°C) -55 to 150
包装数量 | 包装 250 | SMALL T&R

CSD87502Q2 的特性

  • 低导通电阻
  • 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动器而优化
  • 雪崩级
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
  • 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
  • 电池保护

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CSD87502Q2 的说明

CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET,采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源 应用。此外,这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大限度地降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型 应用。

定价

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+

其他包装数量 | 包装选项 这些产品完全相同,仅包装类型不同

CSD87502Q2 正在供货 custom-reels 定制 可提供定制卷带
包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R
库存
数量 | 价格 1ku | +

包装方式

您可以根据器件数量选择不同的包装方式,包括完整卷带、定制卷带、剪切带、管装或托盘。

定制卷带是从整盘卷带上剪下来的具有连续长度的剪切带,是一种可以对特定数量提供产品批次及生产日期跟踪的包装方式。根据行业标准,使用黄铜垫片在剪切带两端各连接一个 18 英寸的引带和尾带,以直接送入自动组装机。涉及定制卷带的 TI 订单将包含卷带费用。

剪切带是从整盘卷带上剪下来的特定长度的编带。根据所申请器件数量的不同,TI 可能会使用多条剪切带或多个盒子进行包装。

TI 通常会根据库存情况选择将管装托盘器件以盒装或者管装或托盘形式发货。所有器件均会按照 TI 内部规定的静电放电和湿敏等级保护要求进行包装。

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可提供批次和生产日期代码选项

您可在购物车中添加器件数量以开始结算流程,并查看现有库存中可选择批次或生产日期代码的选项。

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