DRV8706S-Q1EVM <p>具有宽共模电流感应放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM</p> angled board image

DRV8706S-Q1EVM

具有宽共模电流检测放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM

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DRV8706S-Q1EVM 的特性

  • 适用于汽车应用的 H 桥智能栅极驱动器 EVM
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
    • 4.9V 至 37V 工作电压范围
    • 倍增电荷泵可实现 100% PWM
    • 半桥和 H 桥控制模式
    • 具有 SPI 接口,可实现详细配置和诊断功能
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调转换率控制
    • 0.5 mA 至 62 mA 峰值拉电流输出
    • 0.5 mA 至 62 mA 峰值灌电流输出
    • 集成死区时间握手
    • MOSFET 漏源和栅极监控器
  • 宽共模电流分流放大器
    • 内嵌式检测
    • 可调增益设置(10、20、40、80 V/V)
    • 集成反馈电阻
    • 可调 PWM 消隐方案
  • 集成保护特性
    • 专用驱动器禁用引脚 (DRVOFF)
    • 电源和稳压器电压监控器
    • MOSFET VDS 过流监测器
    • MOSFET VGS 栅极故障监测器
    • 用于反极性 MOSFET 的电荷泵
    • 离线开路负载和短路诊断
    • 器件热警告和热关断
    • 故障条件中断引脚 (nFAULT)

DRV8706S-Q1EVM 的说明

DRV8706S-Q1EVM 用于评估 DRV8706S-Q1,后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8706S-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵(针对高侧)和线性稳压器(针对低侧)生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题,通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制,而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。

宽共模分流放大器具有内嵌式电流检测功能,即使在再循环期间也可持续测量电机电流。如果不需要进行内嵌式检测,放大器可用于低侧或高侧检测配置。

DRV8706S-Q1 提供了一系列保护功能,可确保系统稳定运行。此类功能包括适用于电源和电荷泵的欠压和过压监视器、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监视器、离线开路负载和短路诊断,以及内部热警告和热关断保护功能。

DRV8706S-Q1EVM 具有一个 H 桥,其中包含 4 个以最高 15A 的均方根电流、20A 的峰值电流双向驱动电机的 N 沟道 MOSFET。该 EVM 可由电源(模拟电源)和 USB 数据线(数字电源)供电,也可以定制为由外部供电。该模块提供了一个负 18V 电池反向保护电路以及一个额定均方根电流为 20A 的 π 型滤波器,以便净化电源输入并防止电池误接。

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