封装信息
| 封装 | 引脚 VSSOP (DGK) | 8 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
TLV2313-Q1 的特性
- 符合汽车应用要求 要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C
的环境工作温度范围 - 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C
- 面向成本敏感型系统的精密放大器
- 低 IQ：每通道 65µA
- 宽电源电压：1.8V 至 5.5V
- 低噪声：1kHz 时为 26nV/√Hz
- 增益带宽：1MHz
- 轨到轨输入/输出
- 低输入偏置电流：1pA
- 低失调电压：0.75mV
- 单位增益稳定
- 内部射频干扰 (RFI)/电磁干扰 (EMI) 滤波器
TLV2313-Q1 的说明
TLVx313-Q1 系列单通道和双通道运算放大器兼具低功耗和高性能优势。因此非常适合各种广泛的 应用， 如信息娱乐、引擎控制单元、汽车照明等。该系列 具有 轨至轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流（典型值：65µA）、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声（1kHz 时为 26nV/√Hz）等特性，因此对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 非常有吸引力。此外，该系列器件具有低输入偏置电流，因此适用于 源阻抗高达兆欧级 的应用。
TLVx313-Q1 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。这些器件在容性负载高达 100pF 的条件下具有单位增益稳定性，集成了 RFI/EMI 抑制滤波器，在过驱条件下无相位反转，并具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。
这些器件经过优化，适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的电压下工作，且额定的扩展工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
单通道 TLV313-Q1 器件采用 SC70-5 封装。双通道 TLV2313-Q1 器件采用 SOIC-8 (D) 和 VSSOP-8 (DGK) 封装。