8-pin (D) package image

TLV8542DR 正在供货

双路、3.6V、8kHz、超低静态电流 (500nA)、RRIO 运算放大器

正在供货 custom-reels 定制 可提供定制卷带
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质量信息

等级 Catalog
RoHS
REACH
引脚镀层/焊球材料 NIPDAU
MSL 等级/回流焊峰值温度 Level-1-260C-UNLIM
质量、可靠性
和封装信息

包含信息:

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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
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包含信息:

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出口管制分类

*仅供参考

  • 美国 ECCN:EAR99

封装信息

封装 | 引脚 SOIC (D) | 8
工作温度范围 (°C) -40 to 125
包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R

TLV8542 的特性

  • 对于成本优化型系统
  • 纳瓦级功率电源电流:500nA/通道
  • 失调电压:3.1mV(最大值)
  • TcVos:0.8µV/°C
  • 增益带宽:8kHz
  • 单位增益稳定
  • 低输入失调电流:100fA
  • 宽电源电压范围:1.7V 至 3.6V
  • 轨至轨输入和输出 (RRIO)
  • 温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 行业标准封装
    • 四通道 14 引脚 TSSOP 和 SOIC 封装
    • 双通道 8 引脚 SOIC 封装
    • 单通道 5 引脚 SOT-23 封装
  • 无引线封装
    • 双通道 8 引脚 X2QFN 封装

TLV8542 的说明

TLV854x 超低功耗运算放大器适用于无线和低功耗有线设备中的 成本优化型 传感应用。TLV854x 系列运算放大器可最大限度地减少极其注重电池使用寿命的运动检测安全系统(如微波和 PIR 运动传感系统)等设备的功耗。此类器件的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 输入级经过精心设计,能够实现超低飞安级失调电流,从而降低 IBIAS 和 IOS 误差,否则会影响敏感 应用。这些方面的示例包括带有兆欧级反馈电阻器的跨阻放大器 (TIA) 配置以及高源阻抗传感 应用。此外,内置的 EMI 保护可降低器件对手机、WiFi、无线电发射器和标签阅读器等发出的无用射频信号的敏感度。

TLV854x 运算放大器采用低至 1.7V 的单电源电压供电,并且可在 –40°C 至 +125°C 的扩展温度范围内、在低电量情况下连续运行。所有版本的额定工作温度范围均为 –40°C 至 125°C。TLV8541(单通道版本)采用 5 引脚 SOT-23 封装,而 TLV8542(双通道版本)采用 8 引脚 SOIC 封装。四通道 TLV8544(四通道版本)采用行业标准 14 引脚 TSSOP 封装。

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包装方式

您可以根据器件数量选择不同的包装方式,包括完整卷带、定制卷带、剪切带、管装或托盘。

定制卷带是从整盘卷带上剪下来的具有连续长度的剪切带,是一种可以对特定数量提供产品批次及生产日期跟踪的包装方式。根据行业标准,使用黄铜垫片在剪切带两端各连接一个 18 英寸的引带和尾带,以直接送入自动组装机。涉及定制卷带的 TI 订单将包含卷带费用。

剪切带是从整盘卷带上剪下来的特定长度的编带。根据所申请器件数量的不同,TI 可能会使用多条剪切带或多个盒子进行包装。

TI 通常会根据库存情况选择将管装托盘器件以盒装或者管装或托盘形式发货。所有器件均会按照 TI 内部规定的静电放电和湿敏等级保护要求进行包装。

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可提供批次和生产日期代码选项

您可在购物车中添加器件数量以开始结算流程,并查看现有库存中可选择批次或生产日期代码的选项。

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