封装信息
| 封装 | 引脚 VSON (DRB) | 8 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
TPS737-Q1 的特性
- 符合汽车类 应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4A
- 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定
- 输入电压范围：2.2V 至 5.5V
- 超低压降：1A 为 130mV（典型值）
- 即使使用仅为 1µF 的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
- NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
- 初始精度为 1%
- 整个线路、负载和温度范围内的精度达 3%
- 关断模式下静态电流小于 20nA（典型值）
- 通过热关断和电流限制实现故障保护
- 提供了多个输出电压版本
TPS737-Q1 的说明
TPS737xx-Q1 线性低压降 (LDO) 稳压器系列在电压跟随器配置中使用了 NMOS 旁路元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑结构也可实现极低压降。
TPS737xx-Q1 系列利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供极低的压降和低接地引脚电流。未启用时的电流消耗低于 20nA，适用于便携式 应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。