UCC21530EVM-286 的特性
- 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
- 可编程的重叠和死区时间
- 5.7kVrms 增强型隔离
- 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装，次级侧通道之间具有 3.3mm 间隙
UCC21530EVM-286 的说明
UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK，后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能（高电平有效）功能和 3.3mm 通道间爬电间隙的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。