BQ25770GEVM

BQ25770G – Evaluierungsmodul

BQ25770GEVM

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Überblick

Das BQ2577xGEVM ist ein komplettes Hochleistungs-Batterieladegerät mit hohem Wirkungsgrad und SMBus oder I2C-gesteuertem 2-Phasen-NVDC-Abwärts/Aufwärts-Laderegler BQ2577xG. Das EVM steuert GAN-FETs für hohen Wirkungsgrad. Der Eingangsspannungsbereich reicht von 3,5 V bis 40 V mit einem programmierbaren Ausgang von 2 bis 5 Zellen und einem Ladestrombereich von 0 A bis 16,3 A. Dieses BQ2577xGEVM ermöglicht es dem Benutzer, die Funktion und Leistung des BQ2577xG mit Schritt-für-Schritt-Anweisungen zu evaluieren. Das BQ2577xGEVM dient auch als Referenzdesign mit vollständigem Schaltplan, Layout und Stückliste (BOM).

Merkmale
  • Unterstützt 3,5 V- bis 40 V-Eingänge
  • Hoher Wirkungsgrad mit GAN-FETs
  • Schmales VDC (NVDC)-Strompfadmanagement
  • 600 kHz- oder 800 kHz-Schaltfrequenz für flache Induktivität
  • Leistungs- und Stromüberwachung für CPU-Drosselung
  • Sicherheitsmerkmale: Überhitzungsschutz, Überspannungs- und Überstromschutz

  • Der Schnittstellenbaustein EV2400 ist nicht im Lieferumfang enthalten und muss separat bestellt werden.

Batterielader-ICs
BQ25770G Zweiphasiger NVDC-Abwärts-/Aufwärts-Batterieladeregler mit 1 A, 2 bis 5 Zellen für GAN HEMT I²C
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BQ25770GEVM — BQ25770G Evaluierungsmodul

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* EVM User's guide BQ2577xGEVM Evaluation Module User's Guide PDF | HTML 01.05.2024
Zertifikat BQ25770GEVM EU Declaration of Conformity (DoC) PDF | HTML 10.04.2024

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