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Design und Entwicklung

LMG1210EVM-012

LMG1210 Halbbrücken-Evaluierungsmodul mit offenem Regelkreis

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LMG1210EVM-012

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Überblick

Das LMG1210EVM-012 wurde zur Evaluierung des 200-V-Halbbrückentreibers LMG1210 für den Megahertzbereich für GaN-FETs entwickelt. Dieses EVM besteht aus zwei Galliumnitrid-FETs, die in einer Halbbrücke konfiguriert sind und von einem einzelnen LMG1210 angesteuert werden. Auf der Platine ist kein Controller vorhanden.

Merkmale
  • Demonstriert die Hochfrequenzfähigkeit des Treibers
  • Demonstriert die hohe CMTI-Widerstandsfähigkeit des Treibers
  • Demonstriert die hervorragende Laufleistung, Anpassung und Stärke des Treibers
  • Demonstriert die Totzeitblockfunktion und die positiven Auswirkungen auf den Wirkungsgrad
  • Es handelt sich um eine bestellbare Platine (Hardware), die die Treiberstufe für einen Laser zur Verwendung in Audioanwendungen der Klasse D, in der Umschlag-Nachverfolgung und in Hochfrequenz-DC-DC-Anwendungen demonstriert.
Halbbrückentreiber
LMG1210 — Halbbrücken-Gate-Treiber, 1,5 A, 3 A, 200 V, 5-V-UVLO und programmierbare Totzeit für GaNFET und MOS
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Evaluierungsplatine

LMG1210EVM-012 — LMG1210 Half-bridge Open Loop Evaluation Module

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LMG1210EVM-012 — LMG1210 Half-bridge Open Loop Evaluation Module

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Designdateien

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Neueste englische Version herunterladen Datum
* EVM User's guide Using the LMG1210EVM-012 300 V Half-Bridge Driver for GaN 29.01.2018
Zertifikat LMG1210EVM-012 EU Declaration of Conformity (DoC) 02.01.2019

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