LMG210XEVM-121

LMG2104R044 – Evaluierungsmodul

LMG210XEVM-121

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Überblick

Das LMG210XR044-Evaluierungsmodul ist eine kompakte, einfach zu handhabende Leistungsendstufe mit externem PWM-Signal. Die Platine kann als Abwärtswandler, Aufwärtswandler oder sonstige Wandlertopologie mit einer Halbbrücke konfiguriert werden. Der Baustein kann verwendet werden, um die Leistung des LMG210XR044 als hart geschalteter Wandler zur Abtastmessung, wie zum Beispiel Wirkungsgrad, Schaltgeschwindigkeit und dv/dt (Anstiegsrate), zu evaluieren. Das EVM enthält ein LMG210XR044-Halbbrücken-Leistungsmodul mit zwei GaN-FETs, 100 V, 4,4 mΩ, die von einem Halbbrücken-Gate-Treiber mit 80-V-GaN-FETs angesteuert werden. Nicht zur Evaluierung des Einschwingverhaltens verwenden, da es sich um eine Platine mit offenem Regelkreis und externem PWM-Signal handelt. Dieses EVM wird mit dem Baustein LMG2104R044 montiert.

Merkmale
  • Eingangsspannung bis zu 80 VDC
  • Integrierte 4,4-mΩ-GaN-FETs, 100 V, mit Treiber – LMG210XR044
  • Open-Loop-Steuerung mit einzelnen oder zweifachen PWM-Signalen
  • Einzelner integrierter Eingang für PWM-Signal auf der Platine mit einstellbarer Totzeit
  • Konfigurierbare Totzeiteinstellung auf der Platine durch einfache Potenziometeränderung
  • On-Board-LDO zur Erzeugung von 5-V-VCC-Versorgung aus einer ungeregelten Stromversorgung zwischen 5,5 V und 10 V
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2104R022 100V 2.2mΩ half-bridge GaN FET with enhanced integrated driver and protection LMG3104R011 GaN-FET, 100 V, 1,1 mΩ, mit integriertem Treiber, Verriegelung und Nullspannungserkennung
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* EVM User's guide LMG210XR044 Evaluation Module (Rev. A) PDF | HTML 10.12.2025
Zertifikat LMG210XEVM-121 EU Declaration of Conformity (DoC) 06.10.2025

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