Diese Stromversorgung mit kleinem Formfaktor liefert Bias-Strom an isolierte Siliziumkarbid (SiC)- oder Galliumnitrid (GaN)-MOSFET-Gate-Treiber, wenn extrem hohe dV/dT-Werte auf der Sekundärseite erwartet werden, z. B. bei Schaltern mit breitem Bandabstand. Die Platine akzeptiert 24 V Eingangsspannung und liefert 12 V bei 200 mA. Die Topologie des Resonanzinduktor-Induktor-Kondensators (LLC) in Verbindung mit der niedrigen primären und sekundären Wicklungskapazität macht diesen Wandler zu einer Option für rauscharme Anwendungen mit hoher Gleichtakt-Transientenfestigkeit (CMTI) und reduziert gleichzeitig die Gleichtaktstrominjektion durch den Transformator. Obwohl dieser isolierte LLC-Wandler im offenen Regelkreis arbeitet, folgt die Ausgangsspannung weiterhin der VIN und weist eine sehr geringe Variation gegenüber dem Laststrom auf.
| Ausgangsspannung – Auswahlmöglichkeiten | PMP31333.1 |
|---|---|
| Vin (Min) (V) | 22 |
| Vin (Max) (V) | 26 |
| Vout (Nom) (V) | 12 |
| Iout (Max) (A) | .2 |
| Ausgangsleistung (W) | 2.4 |
| Isoliert/Nicht isoliert | Isolated |
| Eingabetyp | DC |
| Topologie | Half Bridge- Resonant |
Eine voll bestückte Platine wurde nur für Test- und Leistungsvalidierung entwickelt. Sie wird nicht zum Verkauf angeboten.
Laden Sie sich sofort einsetzbare Systemdateien herunter, um Ihren Designprozess zu beschleunigen.
Testergebnisse für das Referenzdesign, mit Wirkungsgraddiagrammen, Testvoraussetzungen und mehr.
Detaillierter Überblick über das Design-Layout zur Bestimmung der Position der Komponenten
Vollständige Liste mit Designkomponenten, Referenz-Bezeichnern und Hersteller-/Teilenummern
Dateien für 3D-Modelle oder 2D-Zeichnungen von IC-Komponenten
Designdatei mit Informationen zur physikalischen Platinenschicht der Design-Platine
Leiterplattenschicht-Plotdatei zur Erstellung des Design-Layouts der Leiterplatte
Detailliertes Schaltplandiagramm für Design-Layout und Komponenten
Enthält TI-Produkte in der Entwicklung und mögliche Alternativen.
| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | Prüfbericht | Reinforced-Isolation LLC Converter Reference Design for SiC and GaN Driving Supply | PDF | HTML | 25.02.2025 |
Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.
Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support.