Dieses Referenzdesign wurde für einen hohen Wirkungsgrad und einen kleinen Formfaktor entwickelt. Das Design veranschaulicht den synchronen Galliumnitrid-Abwärtswandler (GaN) LMG708B0 und wird über einen Eingangsspannungsbereich von 44 V bis 52 V betrieben, um eine Ausgangsspannung von 24 V bei 9,5 A zu liefern. Das Design verwendet eine Leiterplatte, die kleiner als 34,6 cm2 ist und zum Antreiben einer Demo einer humanoiden 200-W-Roboterhand mit einer 48-V-Batterie verwendet werden kann.
Merkmale
- Spitzenwirkungsgrad von 97,7 %
- Einstellbare Strombegrenzung
- Erzwungene Pulsweitenmodulation (PWM) oder Diodenemulation
- Stromüberwachung
- Integrierter GaN-Feldeffekttransistor (FET)