Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um ein kompaktes isoliertes Bias-Power-Design, das für die GaN-Halbbrücke verwendet werden kann. Das Design verwendet den UCC25800 zur Erzeugung von zwei isolierten 12-V-Stromversorgungen für die beiden FETs der Halbbrücke und wandelt die einzelnen 12-V-Gleichstromleitungen in zwei isolierte 12-V-Gleichstromleitungen um. Der UCC25800 hat eine 1-MHz-Schaltfähigkeit, eine LLC-Resonanztopologie und einen ultrakompakten Transformator (4,5 mm × 3,2 mm × 3,5 mm). Mit diesen Eigenschaften des Bausteins können 1,2 W Leistung mit relativ hohem Wirkungsgrad an das Referenzdesign geliefert werden.
Merkmale
- Bietet zwei 12-V-Stromquellen mit Isolierung vom 12-V-Eingang
- Transformator: 4,5 mm × 3,2 mm × 3,5 mm
- Schaltfrequenz bis 900 kHz
- Hoher Wirkungsgrad mit Festfrequenz-Resonanzwandler