Dieses Referenzdesign bietet eine Vorlage für die Implementierung von Gate-Treiber-Designs für Feldeffekttransistoren (Field Effect Transistors, FETs) mit bis zu 3,3 kV Nennspannung. Durch die Verwendung von isolierten Einkanal-Vortreibern mit geteilten Ausgängen können mehrere Varianten von Leistungs-FETs angesteuert werden, ohne die Stromsenken- und Stromquellenfähigkeit zu beeinträchtigen. Die Leistung des Antriebsdesigns wird durch die Integration einer isolierten DC/DC-Vorspannungsversorgung mit gesteuerten Ausgangsschienenspannungen weiter verbessert, was einen Betrieb mit niedrigerem RDS(on) ermöglicht.
| Ausgangsspannung – Auswahlmöglichkeiten | TIDA-011011.1 |
|---|---|
| Vin (Min) (V) | 10.8 |
| Vin (Max) (V) | 13.2 |
| Vout (Nom) (V) | 18 |
| Iout (Max) (A) | .1 |
| Ausgangsleistung (W) | 1.8 |
| Isoliert/Nicht isoliert | Isolated |
| Eingabetyp | DC |
| Topologie | Other |
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| Top-Dokumentation | Typ | Titel | Format-Optionen | Neueste englische Version herunterladen | Datum |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Designleitfaden | Isolated Gate Driver Board With Isolated Bias Supply for 3.3kV SiC-FET Reference Design | PDF | HTML | 20.03.2026 |
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