This reference design provides a template for implementing gate drive designs for field effect transistors (FETs) rated up to 3.3kV. By utilizing single-channel isolated pre-drivers with split outputs, multiple variants of power FETs can be driven while maintaining high current sink and source capability. The performance of the driving design is further enhanced by incorporating a DC/DC isolated bias supply with controlled output rail voltages, enabling lower RDS(on) operation.
| Ausgangsspannung – Auswahlmöglichkeiten | TIDA-011011.1 |
|---|---|
| Vin (Min) (V) | 10.8 |
| Vin (Max) (V) | 13.2 |
| Vout (Nom) (V) | 18 |
| Iout (Max) (A) | .1 |
| Ausgangsleistung (W) | 1.8 |
| Isoliert/Nicht isoliert | Isolated |
| Eingabetyp | DC |
| Topologie | Other |
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| Top-Dokumentation | Typ | Titel | Format-Optionen | Neueste englische Version herunterladen | Datum |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Designleitfaden | Isolated Gate Driver Board With Isolated Bias Supply for 3.3kV SiC-FET Reference Design | PDF | HTML | 20.03.2026 |
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