Dieses Referenzdesign für Siliciumcarbid-FET- (SiC) und IGBT-Gate-Treiber ist eine Vorlage zur Ansteuerung der Leistungsstufen von USV-, AC-Inverter- und Elektrofahrzeug-Ladesäulen-Anwendungen. Das Design basiert auf den einfach isolierten Gate-Treibern UCC53xx von TI mit 3 kVRMS zum Antrieb von High- und Low-Side-FETs. Das Referenzdesign enthält eine kompakte, integrierte, isolierte 1,5-W-Fly-Abwärtshilfsstromversorgung zur Stromversorgung des Eingangs und Ausgangs des Gate-Treibers. Durch die Kombination des isolierten Gate-Treibers und der isolierten Gate-Treiber-Stromversorgung in einer kompakten Platine mit einem Formfaktor von 33 mm × 23 mm bietet dieses Design eine vollständig getestete, robuste, unabhängige und einfach zu validierende Einkanal-Treiberlösung mit einer Gleichtakttransienten-Immunität (CMTI) von > 100 kV/μs.
Eine voll bestückte Platine wurde nur für Test- und Leistungsvalidierung entwickelt. Sie wird nicht zum Verkauf angeboten.
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Überblick über Referenzdesigns und verifizierte Leistungstestdaten
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Detailliertes Schaltplandiagramm für Design-Layout und Komponenten
Enthält TI-Produkte in der Entwicklung und mögliche Alternativen.
| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | Designleitfaden | Compact, Single-Channel, Isolated Gate Drive Ref Design for UPS and Inverters | 28.06.2017 | ||
| Technischer Artikel | Simplify your power storage design with these Fly-Buck™ power tips | PDF | HTML | 13.09.2017 |
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