Dieses Referenzdesign implementiert ein Hochfrequenz-Leistungsstufendesign basierend auf dem UCC27282-120-V-Halbbrücken-MOSFET-Treiber und CSD1953-100-V-Leistungs-MOSFETs. Mit effizienten Schaltern und einem flexiblen VGS-Betriebsbereich kann dieses Design die Gesamtverluste von Gate-Ansteuerung und Leitung reduzieren, um einen optimalen Wirkungsgrad zu erzielen. Dieses Leistungsstufendesign kann in vielen Anwendungen mit begrenzten Platzverhältnissen eingesetzt werden, wie z. B. in Telekommunikations-Netzteilmodulen, Solarwechselrichtern und Gleichstrommotorantrieben.
Merkmale
- Kompaktes 100-V-Leistungsstufendesign mit Schaltleistung von bis zu 1MHz
- Unabhängige PWM-Eingänge für Highside und Lowside mit Querleitungsschutz
- Niedrige Ausbreitungsverzögerung von 16 ns, typische Verzögerungsanpassung von 1 ns
- Treiber-VDD-Beriebsbereich 6 V bis 16 V
- Die Fähigkeit für negative Spannung toleriert Umgebungen mit starkem Rauschen
- Aktivierung mit niedrigem Standby-Strom